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意法半导体STGAP3S系列隔离式栅极驱动器概述

意法半导体工业电子 来源:意法半导体工业电子 2025-02-21 15:05 次阅读
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STGAP3S:高电流能力与先进保护功能提供了卓越的稳定性

STGAP3S系列具备快速去饱和保护和灵活的米勒钳位功能,专为工业和能源应用设计。这款栅极驱动器具有高CMTI,能够满足现今对电流能力和保护功能的最新要求。STGAP3S系列提供10A和6A电流能力的不同选项,每种选项均配有专为碳化硅MOSFETIGBT设计的UVLO型号。

主要特性

■ BCD9S电气隔离技术

高压支持:可达1200V

■驱动电流:6A和10A

■支持驱动碳化硅MOSFET和IGBT

■去饱和保护

■可调节的软关闭功能

■快速响应:延迟仅75ns

■米勒钳位功能

■可选负极驱动

■±200V/ns CMTI

评估生态系统

评估板旨在帮助您快速评估STGAP3S隔离式单栅极驱动器的性能。

EVLSTGAP3S6S

面向带保护功能的STGAP3S6S碳化硅MOSFET隔离式栅极驱动器的半桥评估板。

EVLSTGAP3SXS-H

面向带保护功能的STGAP3SXS碳化硅MOSFET隔离式栅极驱动器的半桥评估板。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:用于碳化硅MOSFET和IGBT的先进电气隔离式栅极驱动器STGAP3S

文章出处:【微信号:意法半导体工业电子,微信公众号:意法半导体工业电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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