长江存储使用国产设备制造出3D NAND闪存芯片

9月20日最新资讯指出，长江存储面对美国出口禁令及被列入实体清单的双重挑战，展现出了强大的自主创新能力，成功引入国产半导体设备以部分替代原有美系设备，实现了供应链的自立自强。

长江存储自主研发的Xtacking架构技术，引领了3D NAND闪存领域的新突破，其堆叠层数已可达到惊人的232层，这一成就即便在全球顶尖制造商如美光、三星及SK海力士面前，也彰显出显著的竞争优势。

值得一提的是，长江存储已携手国内多家半导体设备领军企业，包括中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，共同完成了3D NAND闪存芯片的成功制造，标志着国产半导体设备在高端存储芯片制造领域迈出了坚实的一步。

尽管目前长江存储仍需依赖如ASML和泛林集团等国际大厂提供的部分关键设备，但国产设备在生产线上的占比正逐步增加，体现了中国半导体产业链整体实力的提升。

针对外界关于使用国产设备后NAND芯片堆叠层数减少及产量较低的关注，长江存储方面回应称，这一调整是基于当前技术路线与设备适配性的优化考虑，并非设备产量所限。公司正致力于持续优化产品性能，随着制造工艺、生产流程的不断精进及经验的积累，未来将逐步提升堆叠层数，以满足市场需求。这一表态展现了长江存储对未来发展的坚定信心与持续创新的能力。