威兆半导体发布新一代高性能SiC MOSFET

在近日举行的elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体震撼发布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，该产品以其卓越的性能和创新的设计，成为展会上一大亮点。

HCF2030MR70KH0采用了紧凑高效的SOT-227封装，专为追求极致能效与高可靠性的功率转换系统量身打造。得益于先进的第三代半导体SiC技术，该MOSFET在开关损耗与导通电阻方面实现了重大突破，RDS（on）低至25mΩ（最大值30mΩ），同时耐压高达700V，连续漏极电流ID可达65A，展现出非凡的电气性能。

尤为值得一提的是，HCF2030MR70KH0在反向恢复性能上同样表现出色，Qrr极低，这意味着在开关过程中能够大幅度降低能量损失，显著提升系统整体效率，并有效减少热损耗。这一特性对于提升电子设备的工作稳定性、延长使用寿命具有重要意义。

威兆半导体的这一创新成果，不仅展现了公司在SiC MOSFET领域的深厚技术积累，更为功率转换系统的高效化、绿色化发展提供了强有力的支持。随着新能源汽车、智能电网、工业控制等领域的快速发展，对高效、可靠功率转换系统的需求日益迫切，HCF2030MR70KH0的推出无疑将为这些领域带来革命性的变化。