三菱电机发布新型低电流SiC-MOSFET模块
三菱电机集团近日宣布推出两款新型低电流版本的肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块，以满足大型工业设备市场对高性能逆变器日益增长的需求。这两款新模块分别是3.3kV/400A和3.3kV/200A规格，将于6月10日起正式投入市场。
作为三菱电机Unifull系列的新成员，这两款低电流SiC-MOSFET模块与现有的3.3kV/800A模块一同，为铁路、电力系统等大型工业设备提供了更广泛的选择。Unifull系列现包含三款产品，均旨在提高功率输出和功率转换效率，助力各类工业设备实现更高的能效和更稳定的运行。
值得一提的是，三菱电机的新型SiC-MOSFET模块将在即将举行的PCIM Europe 2024（6月11-13日，德国纽伦堡）上进行展出。此次展会将为全球电子行业的专业人士提供一个交流与合作的平台，三菱电机也将借此机会向全球客户展示其在SiC-MOSFET领域的创新成果和技术实力。
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