清溢光电：已实现180nm节点掩膜版量产 佛山基地2025年末迁入设备
清溢光电5月16日披露了最新投资者调研纪要。
纪要内容显示，清溢光电已实现 180nm 工艺节点半导体芯片掩膜版的量产，以及 150nm 工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证与小规模量产，正在推进 130nm-65nm 的 PSM 和 OPC 工艺的掩膜版开发和 28nm 半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
此外，高端半导体掩膜版生产基地建设项目主要设备已下单，设备交期总体较之前预计缩短，未受到海外限制政策限制的影响，目前佛山生产基地项目已进入厂房建设阶段，预计将于2025年第四季度逐步进行设备的迁入。
审核编辑 黄宇
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