求一种高压大电流DMOS版图设计方案

功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括：漏源击穿电压BVDSS，静态漏源导通电阻RDS(on)，栅阈值电压VGS(th)，正向跨导gfs等;交流参数包括：输入电容Ciss、输出电容Coss，反向传递电容Crss，开关时间ton、ts、tf等；极限参数包括：连续电流ID和脉冲漏电流IDM，最大耗散功率PD，栅源电压VGS，单脉冲雪崩耐量EAS等。

功率MOS场效应晶体管的设计任务就是根据用户使用要求，确定主要电学参数指标，设计出满足参数指标要求的纵向参数、横向参数和热学参数。

功率MOS场效应晶体管在实际设计过程中，主要从以下几个方面进行设计：功率MOS场效应晶体管的结构设计、功率MOS场效应晶体管的主要电参数设计、功率MOS场效应晶体管的工艺设计以及功率MOS场效应晶体管的零部件设计。

由产品电参数指标可知，该产品具有漏源击穿电压（BVDSS）、导通电阻低、电流容量高、耗散功率大、抗静电击穿能力强等特点。产品具有电压控制、快开关速度、易并联以及电参数温度稳定性高。非常适合应用于开关电源、马达驱动、逆变器、斩波器、音频放大器以及高能量脉冲电路。

表1 产品电参数指标（25℃）

VDMOS的版图制造过程可以分为八个步骤，版次内容: （1）P+版图；（2）栅氧化层版图；（3）多晶硅区版图；（4）截止环版图；（5）N＋版图；（6）孔版图；（7）铝版图；（8）钝化版图。

图1 P+版图 图2 N＋版图

图3 孔版图 图4 铝版图

图5 芯片角版图