上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中压SGT MOS等多个系列产品;性能优异,可靠性和稳定性高,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。
上海陆芯的产品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、单管和模块,具有以下技术优势:
1.优化耐压终端环,实现IGBT高阻断电压,达到工业级和汽车级可靠性标准;
2.控制少子寿命,优化饱和压降和开关速度,实现安全工作区(SOA)和短路电流安全工作区SCSOA性能最优;
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性,抑制IGBT的闩锁效应;
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺;实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。


1350V IGBT单管产品
YGW25N135F1A 1350V 25A TO247对标英飞凌IHW20N135R3, IHW20N135R5
用于:感应加热
YGW30N135F1 1350V 30A TO247对标 英飞凌IHW30N135R3
用于:感应加热













声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1293文章
4466浏览量
265253
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
RST20N02-RST 20V N沟道MOSFET技术规格与应用分析
• 推荐栅极驱动电压:10V
• 驱动电流能力:>1A峰值
• 开关频率:建议<1MHz
可靠性与认证
RST20N02-RST通过了严格的可靠性测试,包括:
• 高温反
发表于 05-07 16:00
ON Semiconductor FGB20N60SFD-F085 600V, 20A场截止IGBT深度解析
ON Semiconductor FGB20N60SFD-F085 600V, 20A场截止IGBT深度解析 在电子设计领域,功率半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天
安森美NGTB25N120FL3WG IGBT:高效开关应用的理想之选
(onsemi)推出的NGTB25N120FL3WG绝缘栅双极晶体管(IGBT),看看它在开关应用中能带来怎样的出色表现。 文件下载: NGTB25N120FL3W-D.PDF 一、
探索 EVAL - IHW25N140R5L:2kW 感应加热评估板的深度剖析
EVAL-IHW25N140R5L评估板.pdf 评估板概述 EVAL - IHW25N140R5L 是一款专为感应加热和共振开关应用设计的准谐振板,它采用了全新的 1400V 反向导通 R
新品 | 搭载2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模块 - FP75R17N3E4_B20
4代(EC4)二极管并集成NTC。该模块适用于690V驱动系统,通过内置2.2kV整流器和制动斩波器,降低系统成本。产品型号:■FP75R17N3E4_B20产品
连接器-TERM-50W-183S+ Mini-Circuits RF端接器
TERM-25W-183S+
APC-10FT-NMNM+
TERM-25W-183N+
E67-2FT-EMEM+
ANNEF-50E+
BW-E6-1W653+
BW-E10-1
发表于 11-26 11:39
选型手册:MOT20N50A N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT20N50A是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、优异的dv/dt能力及500V耐压,适用于高效开关电源、半桥式电子镇
陆芯:单管-IGBT YGW25N135F1A 1350V 25A替代英飞凌IHW20N135R3 IHW20N135R5
评论