今年是AspenCore连续第21年举办IC设计调查及奖项评选,中国IC设计成就奖作为中国电子业界最具专业性和影响力的技术奖项之一是中国半导体行业1C 设计领域极具公信力的社会品牌,旨在表彰业内优秀的中国IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。
每一届的年度颁奖盛典也已成为了业内最值得期待的标杆活动之一。2023年中国IC设计成就奖奖项投票现已全面开启,诚邀您参与中国电子业界最具专业性和影响力的中国IC设计成就奖奖项投票,助力东芯半导体“C位”出道。
网上投票&分析师评审
2023年1月10日-2月10日
东芯半导体入选两项大奖,点此投票!
年度技术突破IC设计公司
存储器--48nm 1.8V 256Mb SPI NOR Flash
东芯,为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。
关于东芯
东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术,专业的技术服务实力,通过国内外技术引进和合作,致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。
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原文标题:中国IC设计成就奖投票现已全面开启,助力东芯半导体“C位”出道
文章出处:【微信号:东芯半导体,微信公众号:东芯半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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