意法半导体（ST）推出五款新一代SiC MOSFET功率模组

12月19日，意法半导体（ST）宣布，再度扩展碳化硅（SiC）产品线，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，其涵盖多种不同额定功率，且支持电动汽车电驱系统的常用运作电压。目前新的模组已被用于现代汽车（Hyundai）的E-GMP 电动汽车平台，以及共用该平台的起亚汽车（KIA） EV6 等多款车型。

相较于传统硅基功率半导体，碳化硅元件尺寸更小，可以处理更高的工作电压，还有更快的充电速度及卓越的车辆动力性能。除此之外，碳化硅还能提升性能及可靠性并延长续航里程。电动汽车多个系统皆可使用大量的碳化硅元件，例如，DC-DC 转换器、电驱逆变器，以及能够把动力电池组电能传送回至电网的双向车载充电器（On-Board Chargers, OBC）。

ST 表示，新发表的功率模组采用该公司针对电驱系统优化的ACEPACK DRIVE 封装，并使用烧结技术大幅提升其可靠及稳定度，易于整合至电驱系统，提供汽车产业一个随插即用的电驱逆变器解决方案。模块内部的主要功率半导体是意法半导体的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶体管，具有业界领先的品质因数(RDS(ON) x芯片面积)、极低的开关能量和超强的同步整流性能。

据了解，意法半导体的1200VADP280120W3、ADP360120W3、ADP480120W3(-L)已量产，750V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 和 ADP61075W3 将于2023年3月前量产。

同时，新推出的模组还可相容于高效的直接液冷针翅散热结构，最高额定结温175°C，并具备耐久可靠的压接连接端子；而芯片采用烧结制程安装至基板，以延长模组在车用环境中的使用寿命。

ST 强调，其碳化硅策略是要确保产品品质及供应安全，以支持车企电动化。为此， ST 也积极采取行动，并在不久前宣布在意大利卡塔尼亚建立完全整合的碳化硅基板制造厂，并预计于2023 年开始运作。

审核编辑 ：李倩