SI24R2E技术问答

技术提问

Q1：
虽说Si24R2E布局走线非常简单，是否有提供建议参考，可以避免一些误区？

A1：

有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图，同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》，避免客户在设计过程中的一些问题，减少后期调试改板等工作。

Q2：
我看到大多数Si24R2E的板子上都会加一颗100uf的钽电容，具体作用是什么？

A2：

因为Si24R2E主要针对是低功耗有源标签应用，一般是纽扣电池供电，加100uf钽电容可以有效稳定供电，同时保护电池延长电池寿命。

Q3：
Si24R2E SPI 输入口必须强制10K电阻上拉，否则静态电流异常。如果这个10K上拉电阻没有加，会有什么影响？

A3：

静态电流会大一些。对于芯片的烧录以及芯片的烧录均没有影响，但是我们强烈建议加上这几个10K上拉电阻，主要还是稳定性更好。

Q4：
Si24R2E是如何进行芯片烧录的？是否可以外挂MCU控制？

A4：

正常是通过我司提供的PC端芯片烧录上位机编程器进行程序的下载，测试与量产都非常的方便。同时也支持外接MCU控制。

Q5：
Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款产品有什么区别？

A5：

三款芯片均是脱胎于Si24R1，主要的区别是针对应用领域不同，所以功能有所差异。

Si24R2F兼容Si24R2E情况下新增了部分功能：

1.自动发射模式下，最多支持4个不同信道轮询发射；

2.集成温度监测和报警功能（开启温度监测，每次发射数据都会包含芯片工作环境温度数据）；

3.支持按键发射功能；

4.支持发射数据加密。

Si24R2H相比Si24R2E有几个较大的区别：

1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm；

2.封装不一样，分别是R2H QFN32和R2E QFN20；

3.R2H内置125K，R2E则没有；

4.跳频通道不一样，R2H只支持4通道跳频，R2E只支持3通道跳频；

5.内置NVM寄存器烧写次数不一样，R2H可烧写次数较少为32次，R2E为128次；

6.R2H支持数据加密功能，R2E则不支持；

7.R2H支持内部测温，NTC测温，外挂温湿度传感器。R2E则不支持。

如果您还有其他技术问题未得到解决，可以在评论区留言一起交流，我们有专业的技术团队给您提供强大的技术支持！

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深圳市动能世纪科技有限公司，是一家物联网核心射频芯片供应商，作为IOT行业最靠近应用层的一环，一直致力于将更好的产品推向RFID的市场和各种射频的应用领域，产品覆盖于125K, 13.56M, Sub-1G, 2.4G, BLE, LoRa, ZigBee, Wi-Fi以及低功耗MCU，在校讯通、物流管理、电动车防盗、人员定位等RFID领域已经占据主要地位，得到了物联网客户群的广泛认可，真正做到IoT领域一站式服务。


审核编辑 黄昊宇