描述
NP1216DR采用了先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON),低栅电荷和
工作电压低至1.8V。这
该器件适用于作为负载开关或PWM
应用程序。
一般特征
VDS = -12v, id = -16a
RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
PWM程序
负荷开关
包
DFN2 * 2-6L-B
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)
热阻评级
注:
a.封装有限;b.表面安装在1“x 1”FR4板上
C . t = 5 s; d.稳态条件下最大为80°C/W
电特性(除非另有说明,TA=25℃)
如有需要,请联系我们。
审核编辑 黄昊宇
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