NP1216DR 12V p通道增强模式MOSFET

描述

NP1216DR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -12v, id = -16a

RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

DFN2 * 2-6L-B

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

热阻评级

注:

a.封装有限;b.表面安装在1“x 1”FR4板上

C . t = 5 s; d.稳态条件下最大为80°C/W

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

如有需要，请联系我们。

审核编辑 黄昊宇