基于NP60P012D3的12V p通道增强模式MOSFET

描述

NP60P012D3采用了先进的战壕提供优良的RDS(ON)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。

一般特征

• VDS = -12v, id = -60a

RDS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 6.3Ω@VGS = -2.5 v

• 高密度电池设计超低Rdson
• 充分描述雪崩电压和电流
• 稳定性好，均匀性好，EAS高
• 优秀的包装，良好的散热
• 高ESD能力的特殊工艺技术
• 100% ui测试
• 应用程序
• 汽车应用程序
• 硬开关和高频电路
• 不间断电源包
• PDFN3.3 8 * 3.3 l

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

注:1:东亚峰会测试:VDD = 8 v, RG = 25欧姆,L = 500哦

2:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。

3:设计保证，不经生产检验。