台积电已开始研发全新的2nm技术

据媒体报道，台积电在年报中首度提及2nm技术。台积电表述，公司3nm技术已进入全面开发阶段，而3nm以下的技术已开始定义并密集进行先期开发。

台积电表示，当台积电公司采用三维电晶体之第六代技术平台的3nm技术持续全面开发时，公司已开始开发领先半导体业界的2nm技术，同时针对2nm以下的技术进行探索性研究。

关于3nm制程技术，台积电表示，相较于5nm制程技术，3nm制程技术大幅提升晶片密度及降低功耗并维持相同的晶片效能。台积电的研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善以及可靠性评估。台积电表示，今年将持续进行3nm制程技术的全面开发。

关于微影技术，台积电表示，微影技术研发的重点在于5nm的技术转移、3nm技术的开发及2 nm以下技术开发的先期准备。5nm技术已经顺利地移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对3nm技术的开发，极紫外光（EUV）微影技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率。研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本。

台积电将在2nm及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

本文整合自：TechWeb、摩尔芯闻

责任编辑：符乾江