7nm和12nm芯片的区别
7nm和12nm是工艺制程，换句话说就是处理器的蚀刻尺寸，就是我们八一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。蚀刻尺寸越小，相同大小的处理器中拥有的计算单元就越多，性能也越强。
台积电的12nmFinFET工艺为其16nmFinFET的升级版，在功耗和性能方面都一定的提升，虽然比不上10nm工艺，但是由于是在16nmFinFET的基础上改进，因此工艺更成熟而产能充足。
关于各家工艺的的对照表：Intel和代工厂的工艺，如果从微缩程度（密度）和性能，关键技术视角看过去，对照情况完全不一样。从密度上说：台积电和三星的7nm 的确和Intel的10nm是同一个节点，对应的代工厂的10nm、8nm和Intel的14nm是一个节点，代工厂的12nm、14nm、16nm、20nm 差不多是Intel 的20nm节点，高于22nm一点。
CPU架构相同的情况下，7nm和12nm的工艺制程带来的差别主要是功耗和发热，采用7nm工艺制程的芯片功耗和发热肯定大大小于12nm的，毕竟都差两代。
如果CPU架构不同，那么7nm和12nm工艺制程带来的差别就是芯片性能的鸿沟。道理很简单，7nm工艺制程可以让晶体管尺寸更小，而更小的晶体管尺寸就意味着，同样的芯片面积下，可以容纳更多的晶体管。晶体管数量多了，芯片可以实现的功能就多（可以增加缓存容量，或者添加新的功能芯片），性能也跟着上一个台阶。
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审核编辑 ：李倩
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