中国2nm芯片问世

台积电正式公布了其 N2（2 纳米级）制造技术，该技术计划于 2025 年某个时间投入生产，并将成为台积电第一个使用其基于纳米片的栅极全方位场效应的节点晶体管（GAAFET）。新节点将使芯片设计人员能够显著降低其产品的功耗，但速度和晶体管密度的改进似乎不太明显。

从功能集的角度来看，台积电的 N2 看起来是一项非常有前途的技术。至于实际数字，台积电承诺 N2 将让芯片设计人员在相同功率和晶体管数量下将性能提升 10% 至 15%，或者在相同频率和复杂度下将功耗降低 25% 至 30%，同时，与N3E 节点相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。

台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺，将于2025年量产。

台积电的第一家2nm工厂位于台湾北部新竹县宝山附近的工厂。就在今年6月 5日台积电宣布将投资1 万亿新台币扩大2nm工艺芯片的产量。配合台积电2纳米建厂计划，中科台中园区扩建二期开发计划如火如荼展开。台积电供应链透露，台积电在中科除了规划2纳米厂，后续的1纳米厂也可能落脚此处。

目前，台积电的2nm开发已经走上正轨，魏哲家表示，台积电2纳米技术去年已经进入技术开发阶段，着重于测试载具的设计与实作、光罩制作、以及硅试产。总的来说，台积电采用新工艺技术的速度越来越慢。传统上，台积电每两年使用一个全新节点开始生产。台积电的 N7于 2018 年 4 月开始爬坡，N5 于 2020 年 4 月进入 HVM，但 N3 仅在 2022 年下半年用于商业生产。对于N2，我们显然看到了更长的节奏，这也说明了工艺节点越来越难研发和攻克。

来源：钛媒体，半导体行业观察综合整理

审核编辑 ：李倩