Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性优势及典型应用-电子发烧友网

随着功率电子市场的发展，传统硅（Si）器件的性能已经接近了理论上的“天花板”，因此近年来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带第三代半导体器件的研发日趋活跃。

其中，SiC材料的禁带宽度（3.26eV）是Si材料的3倍，介电击穿场强是Si的10倍，电子饱和速度比Si材料高2倍，热导率是Si的3倍，这意味着基于SiC的功率电子器件可以承受更高的击穿电压，具有更佳的热性能，能够实现更高的开关频率、更高的功率密度、更高的效率，成为下一代功率器件的理想之选。因此，各个半导体厂商围绕SiC的推新速度也在加速。

Microchip Technology的SiC半导体器件就是其中的代表作，他们开发的下一代SiC MOSFET和SiCSBD（肖特基势垒二极管），在额定导通电阻或电流下，具有更高的重复性非感性箝位开关 (UIS) 能力。其中，SiC MOSFET在近10－25焦耳/平方厘米 (J/cm2) 时可保持高UIS能力和强大的短路保护性能。而SiC SBD在低反向电流下具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，以实现更低的开关损耗。

此外，Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD芯片还可配对应用于新型的SiC模块，且符合AEC-Q101标准，因此在包括汽车电子在内的诸多高效率、小尺寸、高工作温度的应用中非常适用。

特性优势

极低的开关损耗提高了系统效率

高功率密度，占地面积更小，以减少尺寸和重量

导热性比硅高3倍

减少散热器要求以实现更小尺寸和更轻重量

高温运行提高了高功率密度下的可靠性

Microchip久经考验的可靠性/稳健性、供应链和质量支持

典型应用

工业：电机驱动、焊接、UPS、SMPS、感应加热

交通/汽车：电动汽车(EV)电池充电器、车载充电器、混合动力电动汽车(HEV) 动力系统、DC-DC转换器、能量回收

智能能源：光伏 (PV) 逆变器、风力涡轮机