芯片的制程从最初的0.35微米到0.25微米,后来又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工艺制程的过程中,大约需要缩小十倍的几何尺寸及功耗,才能达到10nm甚至7nm。
在工艺分类上,芯片主要分两大类:
·HP(High Performance):主打高性能应用范畴;
·LP(Low Power):主打低功耗应用范畴。
满足不同客户需求,HP 内部再细分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五种。
HP 和 LP 之间最重要区别就在性能和漏电率上,HP 在主打性能,漏电率能够控制在很低水平,芯片成本高;LP 则更适合中低端处理器使用,因为成本低。
所以,芯片除了在制程上寻求突破,工艺上也会逐步升级。
芯片制造的整个过程包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等。芯片制造过程特别复杂。
芯片制造过程有这么几个阶段:材料制备——单晶硅制造→晶圆片生成芯片前端——芯片构建(Wafer Fabrication)芯片后端——封装(Package)→完整测试(Initial Test and Final Test)
新智造,电子产品世界网络综合整理
责任编辑:李倩
-
芯片
+关注
关注
446文章
47769浏览量
409066 -
晶圆
+关注
关注
52文章
4523浏览量
126419 -
芯片制造
+关注
关注
9文章
566浏览量
28559
发布评论请先 登录
相关推荐
评论