光耦 继电器适用特性参数介绍

光耦以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递，输入与输出完全隔离，实现高压和低压的电气隔离(低压的控制器||高压的马达等高压装置)，

达到抗干扰目的。

一般的Photo-TransistorCoupler因芯片结构影响，传输速度慢(100Kbps以下)，在大量传输数据的场合不敷使用。

高速传输常透过计算机或控制器输出信号，因此发展出高速传输场合使用的高速光耦，更复杂的IC结构，不只有模拟，也能做数字信号的输出，速度也提升到10Mbps以上。

电源最常用到817系列，注意参数CTR（电流转换比）高速光耦传输速度分:6n136-1mb6n137-10mb/EL071L/15MB传输速度越快机器执行度更加灵敏

IGBT光耦非常适合于驱动功率igbt和mosfet，用于电机控制逆变器应用和逆变器供电系统。它包含一个AlGaAsLED光学耦合到集成电路与功率输出级。1.0A~2.5A峰值输出电流能够直接驱动大多数igbt，额定电压高达1200V/50A。对于额定功率较高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT门的离散功率级。

特性

1.0~2.5A最大输出电流峰值

轨到轨输出电压

最大传播延迟200ns

最大传播延迟差为100ns

在VCM=1500v时，35kv/us最小共模抑制(CMR)

工作范围:15~30伏(VCC)

在-40℃~+105℃温度下保证性能。