半导体设备企业拓荆科技拟冲刺IPO

辽宁证监局披露了拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）辅导备案基本情况表。信息显示，拓荆科技于2021年1月28日与招商证券签订辅导协议，并于同日进行了辅导备案。

据官网介绍，拓荆科技成立于2010年4月，是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业，专业从事高端半导体薄膜设备的研发、生产、销售与技术服务。

该公司拥有12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、3D NAND PECVD（三维结构闪存专用PECVD设备）三个完整系列产品，产品广泛应用于集成电路前道和后道、TSV封装、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。

拓荆科技三次承担国家“极大规模集成电路制造装备与成套工艺科技重大专项（02专项）”。通过多年技术积累，该公司已形成自主知识产权体系，截止到2020年9月底，累计申请专利453项。

根据官网信息，2017年4月，拓荆科技位于沈阳市浑南区的新厂正式启用。新厂占地80亩，总建筑面积4万平方米，拥有十级、百级、千级洁净厂房共计2800平方米，一期可实现年产100台套，二期投产将达到年产350台套设备的生产能力。

2018年9月，由拓荆科技自主研制的12英寸原子层沉积（ALD）设备FT-300T通过了客户的验收。

企查查资料显示，拓荆科技的前三大股东分别为国家集成电路产业投资基金股份有限公司（26.48%）、国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）（18.23%）、中微半导体设备（上海）股份有限公司（11.2%）。
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