昨天上午10点,荣耀正式发布了其2021年首款手机产品——荣耀V40。但与以往荣耀手机不同的是,这款手机这一次搭载10.7亿色屏幕并首次引入色彩管理系统,使其能够呈现出丰富的色彩和细节还原,让屏幕更加“好看”。
手机屏幕颜色色深以二进制编码进行处理,以往屏幕通常为8bit色深,只能够显示1670万种颜色,这也是为何显示图片时会出现色彩断层。荣耀V40将每一个色点升级至10bit色深,则能够显示10.7亿种颜色。颜色种类的增加,使颜色间的过渡更为自然,图片、视频画面不容易出现色彩断层,进而带来更好的显示效果。
色彩显示对比
值得注意的是,有了呈现更多色彩的屏幕还不够,还需要一个准确的色彩管理系统。荣耀V40首次引入色彩管理系统,无论图片、视频亦或APP,都能够准确地转换至P3色域。而且,荣耀V40在产线上都进行了色温调准,保证屏幕色彩的准确呈现。在最基本的屏幕清晰度上,荣耀V40达到了视网膜级分辨率440ppi,比同尺寸的FHD分辨率屏幕提升15%左右。
荣耀V40这一次在屏幕表现上确实可圈可点。这款手机将于1月26日10:08再次开售。
责任编辑:pj
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
屏幕
+关注
关注
7文章
1245浏览量
57253 -
APP
+关注
关注
33文章
1596浏览量
76195 -
荣耀
+关注
关注
6文章
2026浏览量
44512
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
ON Semiconductor FGAF40N60SMD 600V 40A场截止IGBT深度解析
ON Semiconductor FGAF40N60SMD 600V 40A场截止IGBT深度解析 在电子工程领域,功率半导体器件的性能对整个系统的效率和稳定性起着关键作用。今天我们要
Onsemi FGAF40S65AQ:650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析
Onsemi FGAF40S65AQ:650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析 作为电子工程师,在设计功率转换电路时,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是关键功率器件之
XZ5131输入电压2.7-40V,2.7V启动电压,配套XZ1018,100V,40A,NMOS,XZ10L100,10A 100V MOS管 DEMO板
XZ5131是一系列外围电路简洁的宽调光比升压恒流驱动器,适用于2.7-40V输入电压范围的LED照明领域。芯片的2.7V启动电压,工作电压范围2.7~40V, VIFB反馈电压0.2
发表于 04-17 10:08
新品速览|乐鑫ESP32-H21重磅登场!
ESP32-H21芯片!核心参数一览亮点速看极低功耗,续航无忧ESP32-H21在DeepSleep模式下电流可低至5μA,LightSleep模式仅9μA。无论是周期唤醒的传
NXP K40 子系列芯片:设计与应用的深度剖析
NXP K40 子系列芯片:设计与应用的深度剖析 在电子工程师的日常工作中,选择合适的芯片是项目成功的关键一步。NXP 的 K40 子系列芯片,包括 MK
SGMNQ25440:40V单N沟道PDFN封装MOSFET的深度解析
SGMNQ25440:40V单N沟道PDFN封装MOSFET的深度解析 在电子设计领域,MOSFET作为关键的功率开关元件,其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来深入探讨
SGMNQ09440:40V 单 N 沟道 PDFN 封装 MOSFET 的深度解析
SGMNQ09440:40V 单 N 沟道 PDFN 封装 MOSFET 的深度解析 在电子设计领域,MOSFET 作为关键的功率开关元件,其性能和特性直接影响着电路的效率和稳定性。今天,我们将
MAX15020:高性能2A、40V降压DC - DC转换器的深度解析
MAX15020:高性能2A、40V降压DC - DC转换器的深度解析 在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。MAX15020作为一款高性能的2A、40V
CSD18501Q5A 40V N - 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 深度解析
CSD18501Q5A 40V N - 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 深度解析 在电子设计领域,功率 MOSFET 是至关重要的元件。今天我们就来深入探讨德州仪器(TI
DRV8818:35V、2.5A步进电机驱动芯片的深度解析与应用指南
DRV8818:35V、2.5A步进电机驱动芯片的深度解析与应用指南 在步进电机驱动领域,TI的DRV8818芯片以其出色的性能和丰富的功能,成为了众多电子工程师的首选。今天,我们就来深入探讨一
湿法刻蚀的主要影响因素一览
湿法刻蚀是半导体制造中的关键工艺,其效果受多种因素影响。以下是主要影响因素及详细分析:1.化学试剂性质与浓度•种类选择根据被刻蚀材料的化学活性匹配特定溶液(如HF用于SiO₂、KOH用于硅衬底)。例如,缓冲氧化物刻蚀液(BOE)通过添加NH₄F稳定反应速率。复合酸体系(如HNO₃+HF+HAc)可实现各向异性刻蚀,适用于形成特定角度的沟槽结构。•浓度控制浓度
【技术干货】使用干簧继电器进行高压线束测试
您将了解:
如何在复杂线束中精准检测短路
高压干簧继电器如何实现高隔离和可靠的快速切换
电动汽车、医疗设备与工业系统中的真实应用案例
系列产品深度解析
关键性能指标一览
发表于 07-29 15:13
智慧能源物联网解决方案一览
在当今数字化与能源管理深度融合的时代,智慧能源物联网解决方案成为实现高效能源利用、降低能耗成本的关键。物通博联能源采集网关作为这一体系的核心枢纽,发挥着数据采集、传输与初步处理的重要功能,为不同场景
荣耀V40深度评测一览
评论