一款耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件

为减少开发航天器系统的时间、成本和风险，设计人员可以在初始阶段使用商用现货（COTS），随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件，具有卓越的总电离剂量（TID）耐受能力，可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。新产品是Microchip用于航天系统的单片机（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想配件，为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。

Microchip航空航天和国防业务部副总裁Bob Vampola表示：“在使用我们的耐辐射或抗辐射微处理器和FPGA开发航天系统总体解决方案的过程中，SST38LF6401RT SuperFlash产品进一步增强了扩展性，航天系统需要配套的闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流，对数字处理的可靠性要求非常之高，新产品为这一过程提供了关键的保护。”

即使在闪存仍处于供电和运行状态时，SST38LF6401RT器件的辐射耐受能力也高达50千拉德（Krad）TID，该产品能使系统在各种空间应用中运行。在这些应用中，系统无法承受任何代码执行错误，否则可能导致严重缺陷和系统崩溃。新产品是Microchip基于SAMRH71 Arm Cortex-M7的抗辐射SoC处理器的理想配件，也可与RT PolarFire FPGA配合使用，以支持航天器搭载系统的重新配置。新产品与其工业版本具有兼容的引脚分布，以便在印刷电路板（PCB）上轻松替换为宇航级的塑料或陶瓷封装版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏（V）。

开发工具和供货

SST38LF6401RT SuperFlash器件现在提供陶瓷封装的样品，可根据要求提供评估板和演示软件。此外，还可以根据要求提供FPGA飞行编程参考案例，演示如何将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器通过支持软件进行集成。

Microchip从COTS到耐辐射产品的工艺

通过改进旗下成熟可靠的汽车或工业标准产品系列中相关器件的硅工艺，Microchip能为这些器件提供增强的保护，使它们免受重离子环境中的单粒子闩锁影响。通过为每个功能块提供专门的辐射报告，这些经过少量修改的器件的辐射性能得到充分的表征。这些器件被广泛应用于运载火箭、卫星组网和空间站等各种应用中。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统部署，然后再将其替换为引脚兼容的宇航级器件，这些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封装。

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