三星计划基于GAA技术批量生产业界首批半导体

三星电子和SK Hynix希望开始半导体制造工艺的新时代。 其中，三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极（gate-all-around，简称GAA）工艺制造的尖端芯片；SK海力士则正准备生产基于极紫外光刻 （EUV）技术的DRAM。

GAA和EUV DRAM是核心技术，将分别领导全球系统半导体（晶圆厂）和DRAM市场。一旦它们成功实现了GAA和EUV DRAM的商业化，韩国与其他国家之间的差距以及韩国半导体产业的地位将进一步扩大和提高。

三星电子和SK Hynix在“电子周刊”主办的“技术周2020 LIVE”的第一天宣布了关于这些下一代半导体技术的战略。

三星电子宣布，计划通过获得IBM和NVIDIA的下一代CPU和GPU订单，在全球晶圆代工市场中占有一席之地，以其GAA技术开拓下一代市场。

“我们相信我们的GAA技术是世界上最先进的。” 三星晶圆代工厂执行董事姜文说。“我们计划基于我们的GAA技术批量生产业界首批半导体。”

GAA技术比目前最常用于半导体制造工艺的FinFET技术先进。与FinFET技术如何将栅极放置在通道的三个侧面上不同，GAA技术覆盖了通道的所有四个侧面并更精确地控制电流，被视为实现高性能半导体和小于3nm的半导体的合适技术。

三星电子和台积电是唯一开始开发GAA流程的公司。因此，如果三星电子能够比台积电更早地批量生产基于GAA技术的半导体，那么它将有机会抓住在全球晶圆代工市场落后甚至超越台积电的机会。据悉，三星电子在GAA技术和商业化方面已取得了重大进展，因为它有信心将成为业内第一家基于GAA技术大规模生产半导体的公司。

SK Hynix即将批量生产基于EUV工艺的下一代DRAM。“我们计划从第四代10nm（1a）DRAM开始应用EUV工艺。” 负责SK海力士未来技术研究所的林昌文说。“我们希望在明年初开始批量生产。”

EUV是一种具有13.5纳米短波长的光源。与其他光源相比，其波长短十倍。这表明EUV能够在半导体晶圆上创建更精细，更详细的图案。同样，它能够减少工艺数量，而其他光源需要多次光刻工艺以实现微电路。较少的过程导致简化的半导体制造过程，从而大大提高了生产率。

三星电子，SK Hynix和美光约占全球DRAM市场的94％，而三星电子和SK Hynix约占74％。尽管由于这三家公司的寡头垄断而建立了市场，但美光尚未将EUV流程引入其产品，从而导致了市场的寡头结构发生了变化，而这种变化似乎并没有改变。由于三星电子还希望通过自己的EUV DRAM技术来与众不同，因此韩国的存储器半导体市场再次面临着飞跃的机会。

EUV DRAM对于缩小韩国半导体公司与积极追逐韩国公司的中国半导体公司之间的差距特别有用。“尽管韩国半导体公司希望基于EUV工艺批量生产1a产品，但中国公司去年只能批量生产第一代10nm（1x）DRAM，而今年仅能够基于第二代10nm（1y）DRAM。EUV流程。” 韩国进出口银行对外经济研究所说。“由于EUV设备的昂贵成本和有限的供应能力，韩国公司很有可能将自己与中国公司分开。”
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