近日,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²!
作为参考,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶体管密度103亿,平均下来是0.9亿/mm²,3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下,就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。
性能提升上,台积电5nm较7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm较5nm性能提升7%,能耗提升15%。
此外台积电还表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。
工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。
但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身,所以进度及技术选择都很激进,将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。
责任编辑:wv
-
台积电
+关注
关注
44文章
5787浏览量
174745 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10250浏览量
146255 -
FinFET
+关注
关注
12文章
259浏览量
92030
发布评论请先 登录
台积电2纳米制程试产成功,AI、5G、汽车芯片,谁将率先受益?
台积电预计对3nm涨价!软银豪掷54亿美元收购ABB机器人部门/科技新闻点评

台积电正式披露3nm工艺最新细节 晶体管密度达到2.5亿/mm²
评论