关于华虹半导体深耕FS IGBT 的性能分析和应用

将充分利用在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术方面的优势，积极开拓新能源汽车市场，加速新能源汽车芯片国产化进程。

IGBT是新一代电能变换和控制的核心器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高等优点，广泛应用于新能源汽车、工业变频、智能电网、风力发电和太阳能等行业。自商业化应用以来，IGBT作为新型功率半导体器件的主型器件，在1~100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为400V~6500V，电流范围为1A~3600A。

华虹半导体是全球首家提供场截止型（FS, Field Stop）IGBT量产技术的200mm代工厂，2011年就已在200mm生产线上成功量产了1200V非穿通型（NPT, non-punch-through）IGBT；2013年，600V-1200V FS IGBT实现量产，并专注于持续开发更先进的FS IGBT。凭藉不断的研发创新，公司与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，包括硅片翘曲及背面工艺能力等。未来，将向更高电压、更大电流等级、新能源汽车领域及超高压电力电子市场进发，在全球竞争中稳占一席。

华虹半导体在FS IGBT背面晶圆加工能力上尤为突出，是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业，包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火，背面金属。经过多年深耕，华虹半导体积累了相当丰富的IGBT制造经验，技术参数可媲美国际领先企业，奠定华虹半导体在IGBT制造企业中的领先地位，同时也积极推进了IGBT技术国产化进程。

《2016年国务院政府工作报告》明确提出，「大力发展和推广以电动汽车为主的新能源汽车，加快建设城市停车场和充电设施」。中国政府「十三五」规划也明确了实施新能源汽车推广计划，鼓励城市公交和出租汽车使用新能源汽车，可见新能源汽车产业未来增长空间巨大。据悉，中国已于2010年成为全球第一大汽车市场，至2020年，中国新能源汽车年产量将达200万辆，累计产销量将超过500万辆。纯电动车的核心模块离不开IGBT，尤其是性能更佳的FS IGBT，充电桩的建设也运用了大量的功率器件模块，IGBT未来主要的成长驱动力将来自混合动力汽车和纯电动汽车。作为电动车动力的核心，马达逆变器将驱动IGBT模块飞速发展。华虹半导体在汽车电子方面有着丰富的经验，建立了零缺陷管理模式，并通过了ISO/TS16949认证和多家客户的VDA 6.3（德国汽车质量流程审计标准）标准审计，公司客户的MOSFET和SJNFET（超级结MOSFET）产品也都成功应用到汽车电子领域。华虹半导体拥有出色的FS IGBT全套背面加工能力，在晶圆代工领域具有绝对优势，为布局新能源汽车市场做好了充分准备。

「华虹半导体作为全球首家、最大的功率器件200mm晶圆代工厂，可为绿色能源各个环节提供低压到高压全电压解决方案，并可根据客户需要定制全系列的各种功率器件。同时公司正在加速研发6500V超高压IGBT技术，战略目标同样锁定在高端工业及能源市场应用，延续其『全球功率器件领导者』的战略布局。」华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：「华虹半导体将立足制造端，希望携新能源汽车发展东风，为广大客户提供先进可靠的IGBT制造服务，为IGBT芯片国产化做出更多贡献。