关于MOS-AK北京器件模型邀请报告提要和分析

器件模型是一个大类，有其多样性的特征，分散在各个地方的器件模型团队，都有自己的强项，MOS-AK会议提供了让大家聚集在一起讨论针对各种电路，各种应用的器件模型对策的舞台。 前段时间，朋友问到MRAM 内存类器件的模型需求，也有问关于硅光电这块的模型，可谓层出不穷。这次我们在报告中也有几篇针对工业界实际应用，有着非常迫切需求和探索的模型报告和大家分享：

1. Compact models for Giga scale memory system ：

电路仿真是预测大规模系统行为的重要工具。电路仿真中的关键元件的器件模型，允许许多互连元器件快速仿真。当我们正在使用内存设备来进行丰富的数据计算应用时候，我们发现存储类器件的紧凑模型的发展还比较落后，实际上也没有可用的标准存储器件模型。缺少紧凑模型的原因部分是因为电路模拟器主要是为逻辑和模拟电路而不是存储器件设计的。在此篇报告中，主要介绍开发紧凑型模型的一般方法和发展先进存储器件模型所面临的挑战。看到这篇报告，不由想起以前了解到的SONOS就是一个典型的存储器件，其中各个器件的阈值电压受外加电压大小，工作状态，可靠性等各方面影响就已经比较复杂。当存储器件和其他器件组成一个小的Macro Module，那么牵涉到的是更多的工作状态，对模型又是一种挑战，更何况许许多多存储器件链接在一起，考虑的情况就更多。如何减少仿真时间而不遗漏各种工作状态，确实是不小的挑战。

2. ASM & Angelov

对于III-V族器件， 模型的问题一直困扰者很多电路设计者，由于模型准确度的局限性，很多时候，需要靠经验去设计电路，造成研发周期长，重复性差。此次的邀请报告中，一篇是基于物理原理基础的表面势（surface potential )模型，对GaN器件在RF，POWER应用中的测试结果和模型仿真作了验证，作为目前非常热门的模型，大家也有大的期待。另外一篇是基于传统的Angelov 模型，对于当前热门的GaAs HEMT器件， 提出了针对电路设计，非常实用的大信号模型，以及模型抽出的一系列方案。这两篇报告，相信，也会给国内模型的研究人员带来不同角度的实战体验，找出合适自己电路设计的模型方案。

3. A Full Design Flow Solution for OLED Flat Panel Display

新型器件，对于模型的需求一直是第一位的。 OLED显示技术是近年来平板显示（FPD）行业的热点。作为FPD产业的基础，FPD的设计流程不断发展，以应对OLED显示技术的各种挑战，比如从OLED／TFT SPICE器件建模开始，设计、电路仿真、版图设计、版图验证、全面板布局RC寄生提取，功能验证，功率和可靠性分析等，整个流程非常繁琐和具有挑战性。报告介绍一个完整的OLED FPD流程设计方案，一些OLED特定的部分将被强调。例如，LTPS或IGZO TFT将被用于OLED FPD，而不是广泛用于LCD的a-Si TFT。由于OLED是一种电流控制器件，对OLED电路仿真的精度要求远远高于LCD电路。此外，IR DROP分析变得必不可少。由于OLED电路的尺寸比LCD电路大得多，对电路仿真的容量要求也越来越高。当然，另一个有趣的话题是通常使用OLED技术的柔性显示器。作为一个网格，而不是一整片金属正在被用于柔性显示，用以模拟手指触摸效果的触摸面板RC参数的提取将是一个更大的挑战。

通过MOS-AK 会议，让拥有在某个方面有优势的模型团队，为国内半导体厂，设计公司获得附加价值的服务，那么良好的IDM虚拟平台也会应运而生，成为良性循环。MOS-AK北京器件模型会议将在清华大学6月14-16日举办，如果还想报名参加的，可以点击阅读原文，抓紧最后的机会。目前安排20篇演讲报告，其中防辐射，高可靠性模型这块的报告有4篇， III-V族高频微波有7篇， 先进节点有3篇，器件基础原理有2 篇，电路产品应用有2篇，模型，测试平台相关的2篇。

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