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电子发烧友网>存储技术>因自动驾驶的需求美光科技将推出1TB闪存存储产品

因自动驾驶的需求美光科技将推出1TB闪存存储产品

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和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577

长江存储232层闪存揭秘

长江存储1Tb TLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高达19.8Gb每平方毫米,在两种闪存类型中都无出其右者。
2023-11-02 11:11:46844

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