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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>

缓冲/存储技术

电子发烧友网本栏目为缓冲/存储技术专区,有丰富的缓冲/存储技术应用知识与缓冲/存储技术资料,可供缓冲/存储技术行业人群学习与交流。
DS1250W 3.3V 4096k全静态非易失SRAM

DS1250W 3.3V 4096k全静态非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控...

2010-12-07 标签:DS1250WSR 971

DS1250 4096k、非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及...

2010-12-07 标签:非易失DS1250非易失 1424

支持工控计算机设计的宽温内存iDIMM

支持工控计算机设计的宽温内存iDIMM

  2010年由工控内存大厂Innodisk推出一系列支持专业工控计算机设计的宽温内存iDIMM, iDIMM 比一般标准内存能提供系统...

2010-12-07 标签:内存工控计算机 1248

DS3660 安全存储器和可编程篡改检测加密处理器

  在DS3660是一个1024字节的SRAM为敏感数据的安全存储和安全管理器的物理篡改检测的加密处理器和数据安全设备所需的响应函数。低电压操作允许主机微处理器接口和可选的外部...

2010-12-02 标签:存储器DS3660存储器 602

LSI推出CTS2600系列可配置存储组件

  日前,LSI 公司在华推出 CTS2600 系列可配置存储组件,为白盒渠道合作伙伴构建、定制、贴牌以及销售丰富的外部存...

2010-11-29 标签:LSICTS260LSI 943

基于SDRAM文件结构存储的数据缓存系统FPGA实现

基于SDRAM文件结构存储的数据缓存系统FPGA实现

  本文提出了一种基于文件结构存储方式的数据缓存系统,该系统利用FPGA设计结构化状态机实现对SDRAM的控制,完成...

2010-11-25 标签:SDRAM数据缓存 1016

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路,控...

2010-11-24 标签:DS1230W非易 1849

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路...

2010-11-24 标签:非易DS1245W非易 983

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

  DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控...

2010-11-24 标签:非易DS1249W非易 881

基于PCIe的WarpDrive SLP-300加速卡

  日前,LSI 公司面向渠道供应商推出 LSI WarpDrive SLP-300 加速卡,该款 PCI Express (PCIe) 卡能够提供高达 240,000 的持续 IOPS...

2010-11-23 标签:PCIePCIeWarpD 1048

应用于闪存微控制器的“新闪存”架构技术

应用于闪存微控制器的“新闪存”架构技术

  简介   嵌入式微控制器越来越多样化,可以满足嵌入式系统市场的应用需求,而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪...

2010-11-17 标签:闪存闪存微控制器 687

用于SD卡的NAND flash控制芯片的设计

用于SD卡的NAND flash控制芯片的设计

  O 引言   Flash是一种非易失存储器,它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点,近几年在U盘、SD卡、SSD硬...

2010-11-16 标签:SD卡NAND fSD卡 6206

英特尔推出X25-M固态硬盘(SSD)

  在圣诞节即将来临之际,英特尔公司为广受赞誉的英特尔固态硬盘(SSD)产品家族再添120GB“新丁”。固态...

2010-11-16 标签:固态硬盘X25-M固态硬盘 761

基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器

基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器

  O 引言   随着航空航天航海等技术的发展,无论是星载还是舰载方面的技术要求,都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作,并且易于保...

2010-11-12 标签:存储芯片K9WBG 2492

Flash存储器概述

Flash存储器概述

  Flash 存储器的简介   在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统,该存储器系统可用作代码和数据...

2010-11-11 标签:Flash存储器 4578

相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

  相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和...

2010-11-11 标签:相变存储器PCM 1960

MAX14500–MAX14503 USB至SD读卡器

  MAX14500–MAX14503 USB至SD™读卡器为带有一个或两个SD卡槽且支持全速USB通信(12Mbps)的便携式设备提供了一种升级方法,可以将USB SD读卡器升级到USB高速(480Mbps)工作模式。MAX14500...

2010-11-11 标签:MAX14500 1043

DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR

DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR

  DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照...

2010-11-10 标签:DS1225AB 1536

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

  DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控...

2010-11-10 标签:非易DS1270W非易 692

东芝推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD

  东芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固态硬盘)产品。该新型SSD产品分为64GB、128GB和256GB三种...

2010-11-10 标签:BLADEBLADEX-ga 1232

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按...

2010-11-07 标签:非易DS1265W非易 774

新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案

新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案

  美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布,美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合...

2010-11-03 标签:闪存光驱ODD 1660

DS1225Y 64K非易失SRAM

  DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照...

2010-11-03 标签:非易DS1225Y非易 1517

DS28E01-100保护型1-Wire EEPROM

  DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为...

2010-11-03 标签:DS28E01-10 1910

相变化内存原理分析及设计使用技巧

相变化内存原理分析及设计使用技巧

  相变化内存(Phase Change Memory,PCM)是一项全新的内存技术,目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长,为系统工程师...

2010-11-01 标签:相变化内存 822

SpaNSion FL-K闪存

  SpaNSion FL-K系列支持统一4-千字节(KB)的小扇区设计。目前整个SpansiON SPI产品组合覆盖密度范围为4Mb至256Mb,是市场上最广泛的产品组合之一。   Spansion FL-K系列具备快速...

2010-10-25 标签:Spansion 1208

DS1330W 256k全静态非易失SRAM

DS1330W 256k全静态非易失SRAM

  DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制...

2010-10-22 标签:非易DS1330W非易 1002

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

  DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-22 标签:非易失DS1330非易失 1421

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

  DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,...

2010-10-22 标签:非易失DS1345非易失 929

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

  DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟,都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于...

2010-10-22 标签:非易失DS1646非易失 961

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