其他的技术选项 - 所谓的后摩尔定律时代，IC业者面临什么挑战？

其他的技术选项

也出席了今年1月美国ISS 的Globalfoundries技术长Patton在专题演说中表示：「摩尔定律将终结只是一个看法，我们总是能找出如何推动事情演进的方法；」他认为，芯片业者现在必须要在制程以及封装技术方面寻求不同方向的创新（图4），「整个产业环境跟我入行的时候已经完全不一样了。」

图4：除了追随摩尔定律，Globalfoundries技术长Gary Patton认为IC业者应该寻求不同方向的制程与封装技术创新

在半导体产业界拥有超过三十年经验的Patton，在先前向***本地媒体简报Globalfoundries技术策略时表示，今日市场上有各种各样新崛起的电子装置与终端应用，例如行动运算、普适运算（pervasive computing，例如无所不在的连网智能装置）以及人工智能（AI）、虚拟/扩增实境（AR/VR）…等等，单一技术并不一定适合所有应用的需求。

Patton表示，人工智能、云端运算、高速通讯等应用，目前最尖端的3D晶体管FinFET制程是理想选择，目前该技术进入14纳米节点量产、已经成熟而且对高阶应用有价值；至于对运算性能要求较低、也以较低功率运作的各种嵌入式装置，例如物联网设备，其实就不一定要用到最尖端的FinFET制程，否则并不符合成本效益。

GlobalFoundries提供的其他技术选项是全空乏绝缘上覆硅（Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程；Patton指出，该公司准备在2017年量产的22纳米FD-SOI制程，在成本上与成熟的28纳米平面晶体管制程相当，但能达到类似FinFET制程的性能，而且功耗更低、封装尺寸更小，也更适合与RF组件的整合。

在封装技术方面，Patton表示在过去一年来，Globalfoundries看到2.5D与3D芯片堆栈的客户需求有大幅成长的趋势；目前该公司可提供应用于32~22纳米深度沟槽式晶圆的「智慧中介层」（interposer），具备去耦电容，能支持低功率应用的芯片堆栈。

在芯片堆栈技术方面，***半导体产业协会（TSIA）理事长、钰创科技董事长卢超群表示，过去15年来IC产业已经达成了「类似以微观建筑技术造高楼」的突破，发明3D甚至超越3D的异质性晶粒排列或堆栈方法；再加上半导体厂商在晶圆级封装技术（WLP）上的研发成果──例如台积电的整合型扇出（Integrated Fan-out，Info）与整合型扇出-封装内建封装技术（InFO-PoP）──将IC制造与封测一体化，会是让摩尔定律延续更长寿命的关键。

图5：InFO芯片堆栈技术的多种不同型态

卢超群认为，InFO以及因为InFO而得以实现的另一种直通互连通孔（TIV）创新技术，将推动IC产业进入在制程微缩同时迭加IC、让纳米技术经济效益放大的「硅世代4.0」（Silicon 4.0）；未来硅芯片可以直接链接如光学透镜、传感器或致动器等目前嵌入于系统中但仍未微型化的组件，而这也是晶圆代工厂、IC设计业者和系统厂商展开合作的新机会。