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电子发烧友网>制造/封装>英特尔正开发工艺和封装技术通往万亿晶体管时代

英特尔正开发工艺和封装技术通往万亿晶体管时代

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帕特·基辛格进一步预测,尽管摩尔定律显著放缓,到2030年英特尔依然可以生产出包含1万亿晶体管的芯片。这将主要依靠新 RibbonFET晶体管、PowerVIA电源传输、下一代工艺节点以及3D芯片堆叠等技术实现。目前单个封装的最大芯片含有约1000亿个晶体管
2023-12-26 15:07:37312

英特尔:2030年前实现单个封装内集成1万亿晶体管

12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿晶体管
2023-12-28 13:58:43258

如何走向万亿晶体管之路?

台积电预计封装技术(CoWoS、InFO、SoIC 等)将取得进步,使其能够在 2030 年左右构建封装超过一万亿晶体管的大规模多芯片解决方案。
2023-12-29 10:35:28102

英特尔3D封装工艺进入量产,集成万亿晶体管

众所周知,整个半导体领域正迈进一个同时整合多个‘芯粒’(Chiplets,也被称为‘小芯片’)在同一封装中的多元时代。基于此,英特尔的 Foveros 及新型 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等高级封装解决方案被誉为能将一万亿晶体管融于单一封装之内
2024-01-26 09:44:28189

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