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电子发烧友网>模拟技术>隧穿场效应晶体管(TFET)的工作原理分析

隧穿场效应晶体管(TFET)的工作原理分析

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结型场效应晶体管工作原理

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2023-05-16 15:20:041373

场效应晶体管工作原理和结构

  场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:374167

场效应晶体管的基础知识

场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46800

选择场效应晶体管的六大诀窍

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2023-12-05 15:51:38168

【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)

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2023-12-13 14:36:44354

场效应晶体管栅极电流是多大

之一,它对FET的工作状态和性能有着直接影响。本文将详细介绍场效应晶体管栅极电流的概念、计算方法以及其在不同工作状况下的特点和影响。 一、场效应晶体管栅极电流的概念 场效应晶体管的结构由源极、漏极和栅极组成。当FET处于工作状态时,栅极电流即为通过栅极电极
2023-12-08 10:27:08655

场效应晶体管的类型及特点

场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:54833

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