SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
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wq644921241 2023-02-27 14:42:04
SiC·IGBT/SiC·二极管/SiC·MOSFET动态参数测试
EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间
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王伟01 2023-02-23 09:20:46
SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型
相较于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间
资料下载 2018-02-01 14:01:34
GaN和SiC区别
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
Hrf1234
2022-08-12 09:42:07
如何将SiC库导入LTspice并对其进行仿真
碳化硅 （SiC）是一种越来越重要的半导体材料：用这种材料制造的电子元件越来越普遍和高效。最好的电子仿真程序已经用这些组件丰富了他们的库，这些组件现在在构建功率器件的过程中是不可替代的。让我们看看如何通过 LTspice 程序导入和使用SiC MOSFET 库，以及如何执行任何类型的电子仿真。
2022-08-05 08:04:48
深爱一级代理SIC953xD系列 /SIC全系列支持
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
芯美力科技
2021-11-13 14:58:25
深爱代理SIC953XD..SIC9531D.SIC9532D.SIC9533D.SIC9534D.SIC9535D
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
ysp1
2021-09-07 17:39:06
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】开箱报告
有罗姆，英飞凌，Cree，意法半导体等，因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能参数，下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以
熊宇豪
2020-05-19 16:03:51
浅析SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
h1654155957.9185
2019-09-17 09:05:05
SiC功率器件概述
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
dsdfshf
2019-07-23 04:20:21
SiC功率器件SiC-MOSFET的特点
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
zhangyouliang
2019-05-07 06:21:55
浅析SiC功率器件SiC SBD
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
36切53
2019-05-07 06:21:51
SiC功率器件概述
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
frzzing
2019-05-06 09:15:52
搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
qwer31
2019-03-12 03:43:18
沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
冉冉冉冉
2018-12-05 10:04:41
开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小的全SiC功率模块
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的开关损耗。开关速度比IGBT更高全SiC模块与IGBT模块相比，可实现更高速度的开关。下图为以5kHz和30kHz驱动PWM逆变器时的损耗仿真结果。从仿真
嫦娥爱八戒
2018-12-04 10:14:32
SiC功率元器件的开发背景和优点
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
西安飞达
2018-11-29 14:35:23
使用SiC-SBD的优势
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
qwe041
2018-11-29 14:33:47
SiC-MOSFET的应用实例
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
ncsbiantai01
2018-11-27 16:38:39
全SiC功率模块介绍
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
andrewxuda
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块的开关损耗
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
727634sf
2018-11-27 16:37:30
为何使用 SiC MOSFET
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
ben111
2017-12-18 13:58:36
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