基本半导体参加2017中国半导体器件创新产品与应用及产业发展论坛

　　近日，第十一届中国半导体行业协会分立器件年会暨2017中国半导体器件创新产品与应用及产业发展论坛在西安顺利举行，深圳基本半导体有限公司作为支持单位参与了本次论坛。

　　活动由中国半导体行业协会主办，邀请全国几十所高校、科研院所及企业的数百名行业人士参与，基本涵盖产、学、研、用的众多机构和企业代表。通过主题演讲和学术报告的形式，嘉宾们分享并探讨碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、石墨烯等各类半导体新材料、功率器件、封装工艺的最新技术和研究成果。碳化硅是目前非常热门的第三代半导体材料，在本次活动上相关主题分享达到十多场，其火爆程度可见一斑。

　　基本半导体此次携最新研发的碳化硅功率器件亮相高峰论坛，其中包括各电流电压等级的碳化硅JBS二极管、1200V MOSFET、10kV PiN二极管等产品，吸引众多行业人士驻足交流。基本半导体1200V、1700V JBS二极管采用特有的嵌入式结构，反向漏电流比传统结构低3个数量级，更利于高温（250℃）环境下工作，抗浪涌电流能力强；公司推出的MOSFET采用高质量栅氧工艺，导通电阻阙值电压与国际同类产品参数相当；10kV PiN二极管凭借自身高质量外延技术，良率达到75%以上，公司自主设计开发了对应的高压封装结构，产品性能达到国际领先水平。

　　

　　碳化硅器件可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、家用电器、节能环保、轨道交通、医疗设备、智能电网、国防军工等领域。2016年美国福特电动汽车搭载碳化硅MOSFET器件，在城市和高速上实测相比硅IGBT损耗降低超过77%；美国新一代航空母舰中，变压器由传统的磁结构改为碳化硅器件的电力电子变压器，重量从6吨减少到1.7吨，体积从10立方米减少到2.7立方米，碳化硅器件性能优越优势显著。

　　我国在第三代半导体材料研究上一直紧跟世界前沿，是世界上为数不多的碳化硅材料衬底、外延产业化的国家，但是在碳化硅器件设计和制造工艺方面整体实力较弱。基本半导体引进国外领先技术，对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发和产业化，全方位覆盖产业链各个环节，依靠技术创新推动碳化硅器件的国产化进程。

　　有国家政策扶持和市场强劲需求双重利好加身，中国碳化硅行业蓄势待发，迎来产业化发展的春天。