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mos管参数解读

2019年06月24日 14:11 陈翠 作者: 用户评论(0

  mos管基本参数

  Coss:输出电容Coss=CDS+CGD。

  Ciss:输入电容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。

  Tf:下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。

  Td(off):关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。

  Tr:上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。

  Td(on):导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。

  Qgd:栅漏充电(考虑到Miller效应)电量。

  Qgs:栅源充电电量。

  Qg:栅极总充电电量。

  mos管基本参数

  mos管动态参数

  IGSS:栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大,IGSS通常在纳安级。

  IDSS:饱满漏源电流,栅极电压VGS=0、

  VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。

  VGS(th):敞开电压(阀值电压)。当外加栅极操控电压VGS超越VGS(th)时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中,常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。

  RDS(on):在特定的VGS(通常为10V)、结温及漏极电流的前提下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大(正温度特性)。故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。

  Tj:漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/℃。

    mos管基本参数    

  mos管静态参数

  TSTG:存储温度范围。

  Tj:最大作业结温。通常为150℃或175℃,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量。(此参数靠不住)

  VGS:最大栅源电压。,通常为:-20V~+20V

  PD:最大耗散功率。是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量。此参数通常会随结温度的上升而有所减额。(此参数靠不住)

  IDM:最大脉冲漏源电流。表现一个抗冲击才能,跟脉冲时刻也有联系,此参数会随结温度的上升而有所减额。

  ID:最大漏源电流。是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最大电流。场效应管的作业电流不应超越ID。

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( 发表人:陈翠 )

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