2．Vds对沟道导电才能的控制
当Vgs＞Vgs（th），且固定为某一值时，来剖析漏源电压Vds对漏极电流ID的影响。Vds的不同变化对沟道的影响如图所示。
依据此图能够有如下关系：
VDS=VDG＋VGS=—VGD＋VGSVGD=VGS—VDS
当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS（th），沟道呈斜线散布。在紧靠漏极处，沟道到达开启的水平以上，漏源之间有电流经过。
当VDS增加到使VGD=VGS（th）时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的状况，称为预夹断，此时的漏极电流ID根本饱和。
当VDS增加到VGD
当VGS＞VGS（th），且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f（vDS）|VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。
场效应管发热严重的原因
1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误；
2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；
3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片；
4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。