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绝缘栅型场效应管之图解

2009年11月09日 15:54 www.elecfans.com 作者:佚名 用户评论(0

绝缘栅型场效应管之图解

  绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于1000000000Ω。
   增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。

1. 结构和符号(以N沟道增强型为例)
  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

N沟道绝缘栅型场效应管结构动画

 

其他MOS管符号

2. 工作原理(以N沟道增强型为例)




(1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。
VGS =0, ID =0

VGS必须大于0
管子才能工作。

 

 

(2) VGS>0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑

 

 

 

 

 


(3) VGS≥VT时而VDS较小时:
   VDS↑→ID ↑

VT:开启电压,在VDS作
用下开始导电时的VGS°
VT = VGS —VDS

 

 

 

 

 

 

 

(4) VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。
VDS↑→ID 不变

 

 

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