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绝缘栅型场效应管(MOS管)

2009年08月22日 15:53 本站整理 作者:佚名 用户评论(0

绝缘栅型场效应管(MOS管)

1.绝缘栅型场效应营的结构
绝缘栅型场效应管的结构如图16-6 所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从Si02上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可达1 X 10  12Ω以上,而输入电流几乎为零。

绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样,有N 沟道和P 沟道两种类型,每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图16-6 中(a) 为增强型, (b) 为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N 区,引出的电极即为源极和漏极。当UGS = 0 时,漏源极已存在导电沟道的,称为耗尽型场效应管;必须在I UGS l>o 的情况下才能形成导电沟道的,称为增强型场效应管。

另外,从材底基片上还引出一个电极,称为衬底电极B 。在分立元件中,常将B 电极与源、极S 相连。

综上所述,绝缘栅型场效应管有四种不同的类型,即N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P 沟道耗尽型。它们的代表符号如图16-7 所示。

2. 绝缘栅型场效应管的特性曲线
N 沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-8 所示,它基本上与N 沟道结型场效应管的特性一致。

N沟道增强型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-9 所示。从转移特性曲线上可以看出,当UGS小于开启电压UT时, ID≈0 。只有当UGS等于开启电压UT时,才开始形成导电沟道,此时当UGS进一步增加时,ID也开始增大。

在UGS > UT,管子形成导电向道后,可以得到输出特性曲线。当UDS =0 时, ID =0当UDS为正值增大时, ID将随UDS的增大而增大。当UDS增大到UDS = UGS - UT时,导电沟道被夹断,这时若再增大UDS, ID仍保持恒定而不再增加,即处于饱和区。对应不同的UGS值,沟道的深浅不同,所以夹断后的ID值各不相同,从而形成一组特性曲线。

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