双向可控硅触发电路图四：
如下图所示，当电网电压小于220V时，双向可控硅SCR2控制极上的电压也随电网电压减小而降低，致使VD2导通角小，C1端电压上升，从而使双向可控硅SCRl控制极电压升高，使输出电压上升。反之，输出电压下降，达到稳压。
双向可控硅触发电路图五：
所示，左侧为两个30K/2W的电阻，这样限制输入电流为：220V/60K=3.67mA，由于该路仅仅是为了提取交流信号，因此小电流输入即可。整流桥芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一个光耦（P521），这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管的导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+3.3V。光耦三极管导通时，输出低电平，关闭时输出高电平。
双向可控硅触发电路图六：
VDI、VD2、Cl与C2组成简单的电容降压半被整流电源，通电后C2两端能获得约12V左右的直流电压供光控电路用电。VT、VD3、R2、R3与RP构成光控电路，白天光敏二极管VD3受光照射呈低电阻，VT基极电位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到触发电压而处于关断状态，灯H不亮。夜间，VD3无光线照射呈高电阻，VT的基极电位上升，VT导通，就向vs注入正向触发电流，故vs立即开通，灯H全压点亮。调节电位器RP能调节三极管VT的基极电位，从而能对光控灵敏度进行调整。
