您好,欢迎来电子发烧友网! ,新用户?[免费注册]

您的位置:电子发烧友网 > 电子元器件 > 可控硅 >

双向可控硅触发电路图大全(六款双向可控硅触发电路)

2018年02月26日 13:40 网络整理 作者: 用户评论(0

  双向可控硅触发电路图一:

  为了提高效率,使触发脉冲与交流电压同步,要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V,脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器,TPL521-2为光电耦合,起隔离作用。当正弦交流电压接近零时,光电耦合的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲信号,T1的输出端接到单片机80C51的外部中断0的输入引脚,以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间,然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

双向可控硅触发电路图大全
双向可控硅触发电路图大全

  双向可控硅触发电路图二:

  电路如图3所示,图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用,R6为触发限流电阻,R7为BCR门极电阻,防止误触发,提高抗干扰能力。当单片机80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通,MOC3061导通,触发BCR导通,接通交流负载。另外,若双向可控硅接感性交流负载时,由于电源电压超前负载电流一个相位角,因此,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el作用,使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路,实现双向可控硅过电压保护,图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。

双向可控硅触发电路图大全

  双向可控硅触发电路图三:

双向可控硅触发电路图大全

  此时无论是打开开关、和关闭开关(驱动MOC306或者不驱动MOC3061)可控硅都是导通的,即不能关闭可控硅,百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间的关系,安照这个电路接的话,不管J3开路时,G极的电压等于T2的电压,当交流电流过双向可控硅时,G极与T1之间总存在一个电压差,即T1与T2之间的电压差,这个电压差就导通了可控硅,所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别,却有T1、T2的区别。

非常好我支持^.^

(0) 0%

不好我反对

(0) 0%

( 发表人:姚远香 )

      发表评论

      用户评论
      评价:好评中评差评

      发表评论,获取积分! 请遵守相关规定!