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常用二极管和可控硅分类及参数

2018年01月26日 17:02 电子发烧友网 作者: 用户评论(0

一、二极管特性

常用的硅锗二极管在不同正向电流下的正向电压值见表1。锗二极管比硅二极管正向导通电压低(典型为100mV比600mV),但反向漏电流大大超过硅二极管(当加50V反向电压时为1uA比10nA),但导通的硅二极管的正向电阻大大低于锗二极管。因此,锗二极管主要用于信号检波,硅二极管则用于整流等目的。

硅和锗二极管的典型正、反向特性比较见图1。各种二极管、桥式整流器外形见图2,图中尺寸单位为mm。

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二、二极管命名

欧洲型半导体二极管用字母和数字来进行分类和命名,用两个字母和三个数字命名的是普通用途二极管,用三个字母和两个数字命名的是特殊用途二极管,前两个字母表示的意义如下:第一个字母表示半导体材料,A-锗;B-硅;C-砷化镓等;D-光敏材料等。

第二个字母表示用途,A-普通用途二极管;B-调谐(变容)二极管;E-隧道二极管;P-光电二极管;Q-发光二极管;T-可控整流管;X-变容二极管;Y-功率整流管;Z-稳压二极管。

专用二极管的第三个字母通常没有什么特殊意义,稳压二极管在数字后有一附加字母,用来表示稳压值公差,用以下字母表示:A-±1%;B-2%;C-±5%;D-±10%,稳压二极管有表示所稳电压值的数字,例如9V1表示9.1V。

例1.识别以下二极管:

l、AA113-普通用途锗二极管;

2、BB105-调谐用硅二极管(亦称变容二极管);

3,BZY88C4V7-公差为5%稳压值为4.7V的硅稳压二极管。

三、二极管数据

表2概括了各种欧式二极管的用途及封装外形等特性;表3列出了普通用途、信号和射频二极管特性;表4列出硅整流和功率二极管特性;表5列出桥式整流器特性。

表5中所列多数桥式整流器具有200V、400V和600V品种。

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四,稳压二极管

稳压二极管是一种特殊设计的硅二极管,具有一致的反向击穿特性。E12和E24系列稳压二极管可用于各种电路(根据其特性、封装和额定功率),稳压范围从2.4V到91V,一只5.1 V稳压管的典型特性见图3。

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常用系列稳压管如下:

BZY88系列

500mW小型玻璃封装稳压二极管(25℃),稳压范围从2.7V到15V(5mA反向电流,25℃)。

BZX55系列

500mW低功率稳压二极管,稳压范围从2.4V到91V。

BZX61系列

1.3W密封合金结(25℃环境),稳压范围从7.5V到72V。

BZX85系列

1.3W中功率玻璃封装稳压二极管,稳压范围从5.1V到62V。

BZY93系列

20w大功率稳压二极管,螺栓安装封装,环境温度可达75℃,稳压范围从9.1V到75V。

BZY97系列

1.5W中功率稳压二极管,稳压范围从9.1V到37V。

1N5333系列5W塑封稳压二极管,稳压范围从3.3V到24V。

稳压二极管通常与普通硅二极管一样,采用塑料或玻璃封装,符号与外形见图3左上,稳压二极管的斜率电阻等于反向电压与二极管电流之比,斜率电阻在击穿区测量,用欧姆表示,理想的稳压二极管应具有零斜率电阻(即二极管在其稳压值上应完全导通),实际上仅达到小于或等于20Ω数量。

稳压电压温度系数等于稳压电压的变化比上温度的变化,用mV/℃表示。作电压基准用时,要求稳压值应不随温度改变而变动,表6为多数小功率稳压二极管(BZX55系列)典型数据。

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例2.稳压二极管常用作电压基准,说明如下:

稳定电压(在20℃):9.1V

温度系数:+4mV/℃

如果设计的电路工作在-10℃到+40℃范围,即以工作范围的极限基准电压来确定基准电压值和变化百分比。温度系数为正,稳压值将随温度升高而增加,40℃时,稳压值由下式算出:

Vz=9.1V+[(40-20)&TImes;V 4mV]=9.1+80mV=9.18V

在-10℃时,稳压值由下式算出:

Vz=9.1V-V[20-(-10)]&TImes;4mV=9.1 V-120mV=8.98V

五、可控硅

可控硅三端器件其符号、封装和端脚接法见图4,它常用作开关或交流功率控制,各种常用可控硅数据见表7。

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六、双向可控硅

双向可控硅是在可控硅基础上发展起来的。当触发后,在所加电压的正、负两半周都导通,它由加于控制极上的正和负电压触发导通。在用于交流功率控制时,它与仅能作半波控制的可控硅相比,不仅能作全波控制,且性能优良。

双向可控硅常采用触发二极管(相当于双向稳压二极管),当所加电压超过约±32V时,触发二极管即导通,这时其电阻降至极低值,于是产生较大电流,其典型特性见图5。

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双向可控硅符号、封装外形和端脚接法见图6,常用双向可控硅数据见表8。

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注意事项:

可控硅和双向可控硅开关通断非常迅速,当用作交流功率控制时,快速开关引起的瞬态变化可能经交流馈电线传播一定距离。为防止噪声辐射,把这种影响减至最小,应在靠近功率控制器件处装入适当的L—C滤波器(见图7)。

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( 发表人:邓佳佳 )

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