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研究机构称“联合创新”将开启中国IC产业发展新模式

2015年09月25日 07:18 互联网 作者:佚名 用户评论(0

  工信部中国电子信息产业发展研究院下属的赛迪顾问24日发布研究报告称,IC(集成电路)设计和晶圆代工的“联合创新”模式是一种分工基础上的紧密合作,是一种产业结构上的虚拟再整合,料将开启中国IC产业发展新模式。

  赛迪顾问当日发布的《中国IC28纳米工艺制程发展》白皮书指出,随着28纳米工艺技术的成熟,28纳米工艺产品市场需求量呈现爆发式增长态势:从 2012年的91.3万片到2014年的294.5万片,年复合增长率高达79.6%,并且这种高增长态势将持续到2017年。白皮书明确表示,28纳米 工艺将会在未来很长一段时间内作为高端主流的工艺节点。考虑到中国物联网应用领域巨大的市场需求,28纳米工艺技术预计在中国将持续更长时间,为6-7 年。

  目前中国正着手从半导体制造领域实现突破、进而提升整个半导体产业水平。业界普遍认为,发展中国集成电路产业,技术创新、模式创新和体制机制创新是一个有机统一。

  赛迪在其当日发布的白皮书中称,传统IDM模式的高生产运营成本制约了技术创新,同时技术进步难度大,产能和市场难以匹配;而行业分工模式导致工艺对接 难度加大,Foundry的标准化工艺研发不利于满足客户特色需求,各Foundry厂工艺不统一增加了Fabless适配难度,两种模式均不能满足中国 集成电路行业的未来发展需求。其经过调研认为,IC设计(Fabless)和晶圆代工(Foundry)的“联合创新”模式更值得推崇。

  白皮书认为,联合创新模式是一种分工基础上的紧密合作,是一种产业结构上的虚拟再整合,有利于加快Foundry工艺进步速度,有助突破产业发展瓶颈,提高Fabless工艺适配能力,提升产品性能优化空间。

  白皮书用较大篇幅介绍了“中高联合创新模式”,认为全球最大的、领先的Fabless厂商美国高通公司,和中国内地最大的Foundry厂商中芯国际的合作具有典型意义和示范作用。

  赛迪在白皮书中表示,高通拥有众多关于半导体工艺和设计的领先技术。作为双方28纳米制程工艺合作的一部分,高通为中芯国际提出实际的产品需求。这对帮 助中芯国际利用、改进和完善其生产能力,打造出高良品率、高精确度的世界级商用产品至关重要。同时,协同技术创新也有利于中芯国际建立世界级的28纳米工 艺设计包(PDK),可以帮助高通以外的其它设计企业对中芯国际28纳米工艺树立信心。

  白皮书称,“‘中高联合创新’正推动中国28纳米走向成熟,也开启了IC产业发展新模式。作为全球领先的无晶圆半导体厂商,高通是少数几家能够以规模化和技术资源支持半导体代工厂开发及成熟化领先制程工艺的厂商。

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( 发表人:候静 )

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