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锗二极管的死区电压_锗二极管与硅二极管有何差别

2019年10月09日 10:07 xx 作者: 用户评论(0

  什么是锗二极管

  锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

锗二极管的死区电压_锗二极管与硅二极管有何差别

  锗二极管的死区电压

  锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;

  硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。

锗二极管的死区电压_锗二极管与硅二极管有何差别

  锗二极管与硅二极管有何差别

  硅和锗两种二极管的特性曲线,两者有以下几点差异:

  1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多,故硅管的反向饱和电流Is很小。

  2) 在正向电压很小时,通过二极管的电流很小,只有正向电压达到某一数值Ur后,电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压,也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is,所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

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( 发表人:姚远香 )

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