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高频二极管和低频二极管的区别及参数分析

2018年01月05日 11:46 电子发烧友整理 作者: 用户评论(0

二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。高频二极管与低频二极管有何区别呢?一起来看看吧。

高频二极管和低频二极管的区别----高频二极管介绍

高频二极管主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。

高频二极管和低频二极管的区别及参数分析

高频二极管主要参数

1)最大整流电流IFM二极管在长期稳定工作时,允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏,所以在实际应用时工作电流通常小于IFM。

2)最大可重复峰值反向电压VRRM指所能重复施加的反向最高峰值电压,通常是反向击穿电压VBR的一半。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。

3)反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时,电流不能瞬时截止,需延迟一段时间,延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二极管的开关速度,在高频开关状态时,通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要,Trr越小管子升温越小,效率越高。

4)结电容CJ图1所示的PN结高频等效电路,其中r表示结电阻,CJ表示结电容,包括势垒电容和扩散电容的总效果,它的大小除了与本身结构和工艺有关外,还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时,r为正向电阻,其数值很小,结电容较大(主要决定于扩散电容CD)。当PN结处于反向偏置时,r为反向电阻,其数值较大,结电容较小(主要决定于势垒电容CB)。

5)正向电压降VF二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。通常硅材料的二极管VF大于1V,锗材料、肖特基二极管为0.5V左右。

高频二极管和低频二极管的区别及参数分析

6)反向电流IR指管子击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好。反向电流IR与温度有密切联系,温度越高,反向电流IR会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。

高频二极管和低频二极管的区别----外观

高频管体积比较小,两脚细,两端都为圆弧状,如果外壳是玻璃的(基本说是高频的)若涂有黑漆,刮掉后看到里面有一弯曲金属丝。那百分百是高频管。如果是塑料外壳两端象刀截一样(也有乘圆型的);体积较大,管脚较粗。可以说是低频的。

高频二极管和低频二极管的区别及参数分析

高频二极管和低频二极管的区别----电阻

用万用表测量,用500表1K档正向电阻4~5K左右的是高频硅管,5~7.5K为硅低频管。小于3K的为锗管。

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( 发表人:李建兵 )

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