您好,欢迎来电子发烧友网! ,新用户?[免费注册]

您的位置:电子发烧友网>电子元器件>二极管>

东芝展出新款超结构造MOSFET 缩短内置二极管反向恢复时间

2013年05月20日 11:40 日经电子 作者:秩名 用户评论(0

  东芝开发出提高了内置二极管(体二极管)恢复特性的超结(Super Junction)构造MOSFET“DTMOS”,并在2013年5月14~16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM 2013”上进行了展示。新产品的耐压为600V,与该公司原产品相比,缩短了内置二极管的反向恢复时间(trr)。

  此次东芝展出了三款开发产品,包括最大电流为15.8A、导通电阻为0.23Ω的“TK16A60W5”;最大电流为30.8A、导通电阻为0.099Ω的“TK31A60W5”;以及最大电流为38.8A、导通电阻为0.074Ω的“TK39A60W5”。

  内置二极管的反向恢复时间方面,TK16A60W5为100ns(标称值),而东芝的原产品则为280ns。新产品的温度特性也进一步提高,在150℃的温度下工作时,反向恢复时间为140ns。据解说员介绍,“其他公司产品的反向恢复时间大都在160ns左右”。

非常好我支持^.^

(22) 95.7%

不好我反对

(1) 4.3%

( 发表人:辰光 )

      发表评论

      用户评论
      评价:好评中评差评

      发表评论,获取积分! 请遵守相关规定!