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两个IGBT比一个IGBT好在哪里?IGBT使用注意事项,IGBT控制电路模块

2017年05月14日 15:02 网络整理 作者: 用户评论(0

  IGBT模块注意事项:

  IGBT模块应用中应注意的事项有:

  ①各路控制电源要相互隔离,并能达到一定的绝缘等级要求。

  ②在大功率的逆变器中,下桥臂的开关管也要各自用一个隔离电源,以避免产生回路噪音,只是这几路电源的隔离电压不需太高。

  ③控制信号线和驱动电源线要离远些,尽量互相垂直,不要平行放置。

  ④ 光电耦合器输出与IPM输入之间在PCB上的走线应尽量短,最好不要超过3crn。

  ⑤ 驱动信号隔离要采用高共模抑制比(CMR)的高速光电耦合器,要求 tp<0.8μs,CMR>lOkV/μs,如6N137、TCP250 等。

  ⑥IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管,用户使用接插件引线时,取下套管后应立即插上引线;或采用焊接引线时先焊接,再剪断套管;在无防静电措施时,不要用手触摸驱动端子。

  ⑦焊接器件时,设备或电烙铁一定要接地。

  IGBT散热器

  IGBT模块的散热器应根据使用条件、环境及IGBT模块参数进行匹配选择,以保证满足IGBT模块工作时对散热器的要求。散热器表面的光洁度应小于10μm,每个螺丝之间的平面扭曲小于10μm。为了减小接触热阻,推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。对于IGBT模块底板为铜板的模块,在散热器与IGBT模块均匀受力后,以从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为最佳。对于IGBT模块底板为DBC墓板的模块,散热器表面必须平整、光洁,采用丝网印刷或圆辊滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后,使两者均匀压接。

  在为IGBT模块安装散热器时,每个螺钉需按说明书中给出的力矩拧紧。力矩不足会导致热阻增加或运动中出现螺钉松动现象。仅安装一个IGBT模块时,应将其装在散热器中心位置,使热阻最小。安装几个IGBT模块时,应根据每个模块的发热情况留出相应的空间,发热大的模块应留出较多的空间。两点安装紧固螺丝时,紧固第一个和第二个螺丝时力矩为额定力矩的1/3,然后反复多次紧固,使其达到额定力矩。四点安装和两点安装类似。紧固螺丝时,以1/3额定力矩依次对角紧固,然后反复多次,使其达到额定力矩。

  使用带纹路的散热器时,应使IGBT长的,方向顺着散热器的纹路,以减小散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时,使其按短的方向并排摆放,中间留出足够的距离,主要目的是风机散热时减少热量叠加,容易散热,最大限度发挥散热器的效率。二是模块端子的连接应有利于减小杂散电感,尤其是高频使用时更为重要。在连接器件时,主端子电极间不能有张力和压力作用,连接线(条)必须满足应用要求,以免因电极端子发热在模块上产生过热。

  IGBT控制模块电路:

  IGBT单管和IGBT模块控制电路

  IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的,它们的作用和工作原理基本一样,IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率晶体管GTR和功率场管MOSFET的优点于一身,具有易驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,近年来被广泛运用于高电压、大功率的场合,以下是一种采用一个同意的24V电源供电,通过改变调节电阻的值来调整门级-集电极电容的值,以达到控制开关典雅上升率和下降率的目的。的IGBT dv/dt控制电路,适用于IGBT单管和IGBT模块。

IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的,它们的作用和工作原理基本一样,IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率晶体管GTR和功率场管MOSFET的优点于一身,具有易驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,近年来被广泛运用于高电压、大功率的场合,以下是一种采用一个同意的24V电源供电,

  运用中IGBT单管和IGBT模块相互替换的问题

  1、IGBT单管的散热条件没有IGBT模块的散热条件好;

  2、就制作来说,IGBT模块的一致性比IGBT单管的一致性好,

  IGBT模块中,IGBT芯片的并联排线肯定比单管的好,会降低很多杂散参数,IGBT模块并联的芯片都是同一片wafer上取出相邻的IGBT芯片,IGBT芯片参数非常相似,如果换成单管,那就不一定了。用单管代替也不是不行,余量留大一些。我也看到很多用单管替代的,具体情况需要你自己验证了。

  IGBT双用比单用好在哪里:

  双单元IGBT是由两只IGBT组成,如图1所示,图中左边图为单管IGBT、中间图为双单元IGBT、右边图为双单元 IGBT实际外形。双单元 IGBT检测的方法如下:

IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的,它们的作用和工作原理基本一样,IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率晶体管GTR和功率场管MOSFET的优点于一身,具有易驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,近年来被广泛运用于高电压、大功率的场合,以下是一种采用一个同意的24V电源供电,

  首先将万用表调到电阻R × 10k 档,红表笔接E(5端或7端)极,黑表笔接G(4端或6端)极,给G、E极间充电。然后将万用表调到 R × lΩ 档,测量C、E(1、2端或3、1端)两端,正常正反向阻值均为10Ω左右。如果黑表笔接G极,红表笔接E极,,则RCE为无穷大。如果阻值均为无穷大或者正反向阻值差别为零,说明IGBT已损坏。

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( 发表人:易水寒 )

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