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电子发烧友网>新品快讯>Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

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SI4920DY-T1-E3-VB-SOP8封装2个N沟道MOSFET

型号 SI4920DYT1E3丝印 VBA3316品牌 VBsemi详细参数说明  类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 8.5A 通电阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13

FDC6420C-NL-VB-SOT23-6封装 N+P沟道MOSFET

型号 FDC6420CNL丝印 VB5222品牌 VBsemi详细参数说明  类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±20V 最大电流 7A / 4.5A 通电阻 20mΩ / 70m
2023-11-02 14:31:58

SI2369DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

型号 SI2369DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 通电阻 47mΩ@10V, 56m
2023-11-02 10:57:13

Si1553CDL-T1-GE3-VB-SC70-6封装N+P沟道MOSFET

Si1553CDLT1GE3详细参数说明  极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A (N沟道), 1.5A (P沟道) 通电阻 130mΩ @ 4.5V (N沟道
2023-11-02 10:26:43

SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 通电阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15

SI2307DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

型号  SI2307DST1GE3丝印  VB2355品牌  VBsemi参数说明  MOSFET类型  P沟道 额定电压(VDS)  
2023-11-02 09:13:48

SI3911DV-T1-GE3-VB-SOT23-6封装2个P沟道MOSFET

型号 SI3911DVT1GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明  类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 通电阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24

SI2319DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

SI2319DST1GE3详细参数说明  极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-11-01 11:30:21

AO4425-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54

MDD3754RH-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号 MDD3754RH丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 通电阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45

NTR0202PLT1G-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

型号 NTR0202PLT1G丝印 VB2290品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 通电阻 57mΩ @4.5V, 83m
2023-10-31 14:13:24

2SJ668-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18

FR5305-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号 FR5305丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
2023-10-30 10:03:05

AP4563GH-VB-TO252-5封装 N+P沟道MOSFET

型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明  类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 通电阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13

FDG6321C-VB-SC70-6封装 N+P沟道MOSFET

FDG6321C详细参数说明  极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A / 1.5A 通电阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280m
2023-10-28 15:25:52

FDD5614P-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 通电阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41

AO6604-VB-SOT23-6封装 N+P沟道MOSFET

AO6604详细参数说明  极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 7A / 4.5A 通电阻 20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
2023-10-28 11:38:06

SI1967DH-T1-GE3-VB-SC70-6封装 2个P沟道MOSFET

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明  - 极性 2个P沟道 - 额定电压 -20V - 额定电流 -1.5A - 通电阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
2023-10-28 09:49:14

SI2324DS-T1-GE3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET

型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 通电阻 246m
2023-10-27 17:18:42

FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片

最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。 特征 精密反馈参考电压:0.5V(2%) 宽电源电压工作范围:3.6至20V 低电流消耗:3
2023-10-19 14:19:01

FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片

FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片 一般说明 FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET,用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36:57

500V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明, 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34

650V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02

600V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明, 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23

DMP2007UFG 20V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

DMP2007UFG 产品简介DIODES 的 DMP2007UFG 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低通电阻(RDS(ON))并保持卓越的开关性能,使其非常适合高效率电源管理
2023-09-11 19:37:32

美浦森N沟道超级结MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS,由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,故在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513

SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书

SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书 特征 • 沟槽场效应晶体管®功率场效应管 • 低热阻功率包® 小尺寸和低 0.75 mm 封装轮廓 • 100
2023-07-25 16:44:160

20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书

20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书 特点  专有的先进平面技术  高密度超低电阻设计  大功率、大电流应用  理想的锂电池应用  封装形式:SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312

具有负载断开控制的20V同步升压转换器PL30502

PL30502是宝砾微电子推出20V同步升压转换器,内置栅极驱动器,可断开负载。 PL30502集成了两个低通电阻功率FET:一个7mΩ的开关FET和一个7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09

资料下载 | 低导通电阻 Nch 功率MOSFET(铜夹片型)产品参考资料

列产品的参考资料,助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471

碳化硅SiC MOSFET:低通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

并提高可靠性。东芝实验证实,与现有SiC MOSFET相比,这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1],可将通电阻[2](RonA)降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能,降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18

SI7655DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
2023-03-28 22:33:39

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