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电子发烧友网>新品快讯>飞兆半导体开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ

飞兆半导体开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ

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2023-06-25 16:41:55337

有关氮化镓半导体的常见错误观念

氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢? 关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47

安世半导体扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562

MOSFET器件原理

(VLSI)设备采用的设计方式有极大的不同,它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET器件原理图,传输特性和器件符号。双极结型晶体管(BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591

行业应用||安森德SJ MOSFET产品在充电桩上的应用

广,不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区,都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累,研发出同类别性能优异的超级结MOSFET,具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37

安世半导体宣布推出最低导通阻抗,且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体),分立器件、逻辑器件MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441

2023年中国半导体分立器件销售将达到4,428亿元?

分立器件行业概况 半导体分立器件半导体产业的基础及核心领域之一,其具有应用领域广阔、高成品率、特殊器件不可替代等特性。 从市场需求看,分立器件受益于物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子
2023-05-26 14:24:29

功率半导体分立器件你了解多少呢?

功率半导体分立器件的应用十分广泛,几乎覆盖了所有的电子制造业,传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业电机等。近年来,新能源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为了功率半导体分立器件的新兴应用领域。
2023-05-26 09:51:40573

IGBT和MOSFET该用谁?你选对了吗?

半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446

雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

二极管半导体器件的应用和参数对比NO.1二极管种类区别按操作特性进行比较:器件结构说明对比:肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面,它由多数载波进行,具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF
2023-05-11 10:11:45221

储能逆变器带动哪些半导体器件

据统计,IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多,是必不可少的半导体器件
2023-05-08 15:46:30862

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

意法半导体供应超千万颗碳化硅器件

意法半导体(ST)宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起,采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件
2023-04-26 10:18:51930

国内功率半导体需求将持续快速增长,欢迎广大客户通过华秋商城购买晶导微系列产品

及前瞻产业研究院数据,预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言,二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28

国内功率半导体需求将持续快速增长

及前瞻产业研究院数据,预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言,二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

评估,以改善动态特性和可靠性,并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18

N6004NZ 数据手册

N6004NZ 数据手册
2023-04-03 19:41:210

N6508NZ 数据手冊

N6508NZ 数据手冊
2023-03-31 19:19:320

N6506NZ 数据手冊

N6506NZ 数据手冊
2023-03-31 19:19:150

N6508NZ 数据表

N6508NZ 数据表
2023-03-31 19:18:370

【企业动态】华秋与合科泰达成授权代理合作,共促国内功率半导体发展

半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如:二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457

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