Diodes推出互补性双MOSFET组合DMC4040SSD

Diodes公司推出线性LED控制器可为LED灯...

Diodes 公司推出AL5814、AL5817、AL5815以及AL5816线性 LED 控制器，...

MOSFET、存储器IC等继续看涨 硅晶圆是罪魁...

台系MOSFET芯片供应商指出，由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势，台系IC设计公司宁可先抢市占...

一个约100Ω的电阻，为何在MOSFET栅极前？

只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前...

A6862主要特性和优势_汽车三相固态继电器MO...

Allegro MicroSystems公司的A6862是N沟功率MOSFET驱动器,具有三个独立的...

全控型功率器MOSFET涨价成因重点分析

MOSFET全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据工作载流子的极性不同，功率MOSFET可进一步...

采用先进的MOSFET技术来应对电动工具的挑战

无绳电动工具具有易用、便携和更安全等特性，越来越受到专业人士和个人用户的青睐。但是制造商们也面临着持...

解决电池组件中过量电流“泄漏”问题

很多现代便携式设备发货时都必须安装电池，以便客户无需电池安装或充电便可立即开启设备。如果连接至电池的...

半导体功率器件MOSFET持续大涨 上游硅晶圆等...

功率半导体行情回暖，MOSFET供不应求加剧，交期不断拉长，国内外MOSFET企业纷纷调涨，目前整体...

大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳...

大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFE...

一种先进的利用电流检测端子实现的全SiC模块过流...

采用电流检测并用于FMF800DX-24A的先进保护方法是通过参考设计RDHP-1417来实现的(其...

传导EMI问题为何都是由共模噪声引起

大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。...

Diodes超低漏电流超速开关二极管 适用于液晶...

全新DLLFSD01x开关二极管系列配备一般低至5nA的漏电流，能够大幅降低系统功耗并提高能源效益...

采用东芝DTMOSIV超级结MOSFET来解决这...

功率开关应用电路的基本元件主要有MOSFET和快速恢复二极管。MOSFET和恢复二极管对于采用全桥或...

介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

分享到 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电...

东芝的创新型双面散热MOSFET封装DSOP A...

电源系统中的主开关器件是低电压功率MOSFET，这些系统需要的功率密度正在不断增加。为减小系统体积和...

超级结MOSFET开关速度和导通损耗问题

利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动...

隔离式电源设计需要开发最好的拓扑

自从上世纪 60 年代开关模式电源 (SMPS) 问世以来，出现了几种我认为足以让设计人员为之兴奋的...

电源IC与MOS管选定后，选择合适的驱动电路很关...

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和...

Diodes推 LED驱动器为商业照明增添调光功...

AL8862 降压 LED 驱动器具备宽输入电压范围和整合式功率 MOSFET，能为 LED 照明驱...

两个MOSFET串联在半桥时，电流的限制很关键

当两个MOSFET串联在串联(半桥)时，请注意电流的限制，而这些限制并不总是在每个MOSFET都提供...

浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

“立碑”现象常发生在CHIP元件（如贴片电容和贴片电阻）的回流焊接过程中，元件体积越小越容易发生。特...

LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故...

初级 MOSFET 的不良体二极管性能可能导致一些意想不到的系统或器件故障，如在各种异常条件下发生严...

电源产品设计，如何对传导功耗进行折中处理

我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种...

巧用IC负载开关的特性来安全地降低功耗

为了最大限度地降低功耗，一个简单的MOSFET通常用于为未使用的电路提供电源。 然而，更好的选择是使...

由于继电器的振动，MOSFET也可以在开关关闭时...

当MOSFET处于关闭状态时，开关的开启会导致MOSFET的破坏:由于机械开关的短暂时间，高的dvd...

MOSFET工作原理及其结构、特性与使用改善技巧...

功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的P...

MOSFET自激震荡电路multisim仿真没有波形怎么办？

汽车工业领域定义并构建基于48V电池系统

汽车工业的电气化以不断增长的速度发展，主要受政府颁布关于二氧化碳（CO2）减排标准的驱动。欧盟制定了...

介绍一种模拟控制器最合适控制方案

48V-12V双电池电源系统正普通用于轻度混合动力电动车。车辆的动态工作条件可能需要在两个电池轨道之...

MOSFET选型注意事项及应用实例

一般IC的PWM OUT输出内部集成了限流电阻，具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关，可以近似认...

Diodes 公司推PT7M3808 系列微处理...

PT7M3808 提供 0.9V 至 5V 标准电轨的固定阈值版本，以及最低 0.4V 的可调阈值版...

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称...

USB OTG Vbus电源框图及应用方案

通用串行总线即USB已经流行许久； 起初USB设备便具有主设备和从设备之分：传输的数据来自主设备如电...

设计一款由12V铅酸电池，直接供电的12V汽车音...

汽车系统需要承受高温差、极端输入瞬变和其它多种干扰的影响。汽车中几乎所有的电子产品都需经过严格的测试...

依靠驱动错误产生原理，对驱动等效电路进行分析

DRV8711是一款有微步功能的步进电机控制器，芯片内部集成了微步分度器，通过配置最高可以支持1/2...

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

提高电动工具设计的性能，不可忽视电源管理

不同的损耗导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时，可以尝试这些不同...

Diodes推出集成进阶功能的USB 3．1 G...

Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，其产品涵盖广泛领域，包括独立...

Diodes推出ZXGD3113同步整流控制器提...

为满足业界对于提高功率密度与提高效率的广泛需求，Diodes 公司推出 ZXGD3113同步整流控制...

Diodes公司颁发了多项分销商大奖表扬其在20...

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 早前在全球各销售区域颁发了多项分销商大...

MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法

似乎选取功率MOSFET的耐压对于很多工程师来说是最容易的一件事情，因为设计的电子系统输入电压是相对...

MOSFET芯片缺货潮涨势分析与应对措施

据市场分析，MOSFET芯片缺货的趋势将持续蔓延，也就是说MOSFET涨价模式即将开启。据悉芯片调价...

反激式转换器工作原理以及反激开关MOSFET源极...

反激式转换器在正常工作情况下，当MOSFET关断时，初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Co...

对MOSFET与IGBT详细的区别分析以及举例说...

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特...

反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析

大家都知道这个尖峰是开关MOS开通的时候出现的，根据反激回路，Ids电流环为Vbus经变压器原边、然...

浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别

MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在...

光宇睿芯刘建朝：“新能源产品中不可或缺的MOSF...

刘建朝表示，MOSFET领域，目前主要呈现五大趋势：一是小信号MOSFET（小于1.5A）；二是单体...

利用IR2103驱动mosfet实现电压输出，帮忙看看这个电路是怎么工作的？

GaN功率电子分立器件产品类型的简介以及其特点和...

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、...

8英寸晶圆代工价格今年第一季预计调涨5～10%

2017年上半年8英寸晶圆厂整体的需求较平缓。随着第三季旺季需求显现，加上8英寸晶圆代工短期难再大幅...

高压电源新型预稳压器设计方案推荐

讨论几种设计故障容受型电源的方法，其中包括新的预稳压器拓扑结构，该结构可简化电路设计及元件选择。 对...

MOS管为何会被静电击穿，我们又该如何应对？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电...

采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Tot...

结论 本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsun...

MOSFET厂大中据传酝酿将从本季起调涨报价 尼...

2018年，金属氧化物半导体场效应电晶体管（MOSFET）仍旧是市场上炙手可热的产品，目前MOSFE...

几类器件慎重采用串并联结构设计

几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子（IGB...

MOSFET栅极应用电路作用与驱动电路解析

MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动...

宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管，应用于PO...

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC...

大学总搞不懂IGBT是什么的小伙伴们？这篇文章告...

电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如...

电源设计如何减少MOS管的损耗同时提升EMI性能

　　MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分...

锂电池的优势和内阻测量以及过充电、过放电、短路保...

该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01，充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MO

深度图片解析场效应管的测量方法

下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管...

深度解析MOSFET结构原理和特点以及其驱动电路

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），...

为何使用 SiC MOSFET

碳化硅MOSFET器件的特性优势与发展瓶颈!

　　碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级...

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了！

IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100K...

基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的设计...

由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制，为此提出一种由MOSFET控制，并且由高频变压器隔离的开关...

开关电源功耗分析和提高待机效率的方法

随着能源效率和环保的日益重要，人们对开关电源待机效率期望越来越高，客户要求电源制造商提供的电源产品能...

TI最新推出汽车LED照明控制器，助设计人员轻松...

通过选择控制器和外部MOSFET实现汽车LED照明系统中更高的功率、更佳的可靠性及更强的散热性能 2...

机载高频开关电源的系统构成以及其设计

机载高频开关电源产品专门用于输入交流400Hz的场合，这是特意为了满足军用雷达、航空航天、舰船、机车...

用UC3842芯片做医用开关电源设计方案

本文基于UC3842高性能电流模式脉冲宽度调制（PWM）发生器控制的开关电源，适合应用于此类医疗系统...

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区...

这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到...

英飞凌、恩智浦2018重点续攻汽车电子，功率模拟...

全球IDM(整合元件制造)业者持续抢攻车用电子新蓝海，英飞凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等...

电子元器件最新缺货、涨价、交期行情汇总（特别是电容）

资深工程师分享的一款医用开关电源设计方案

本文基于UC3842高性能电流模式脉冲宽度调制（PWM）发生器控制的开关电源，适合应用于此类医疗系统...

ZVS的实现方案解析和MOSFET的损耗分析

MOSFET的损耗主要包括如下几个部分：1导通损耗，导通损耗是比较容易理解的，即流过MOSFET的R...

一文读懂mosfet与igbt的区别在哪

由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强

巧用Rigol_dl3021可编程电子负载设备拆...

想必大家对EEVBlog已经不陌生了，有着丰富电子开发经验的工程师Dave Jones在该网站上发布...

基于MOSFET来实现高转换速率测试负载瞬变

用电子负载测试电源的瞬态响应很常见。对许多系统轨（如服务器的3.3V或5V总线）而言，电子负载很容...

MOSFET管损坏的5种原因解析

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电...

mosfe输出波形的问题

简化的MOSFET等效电路，看Rds和Rg电阻损...

简化的MOSFET等效电路MOSFET开通（turn on）过程MOSFET损耗——Rds和Rg电阻...

关于一个强电流缓冲器/驱动器，能够驱动大功率MOSFET和IGBT

【牛逼资料分享】深入理解MOSFET规格书datasheet

mos管工作原理及作用分析

mos管工作原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状...

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电...

即便在高温条件下也能兼具超低切换损耗、高效性和一流的耐用性 中国，北京，2017年10月17日讯 -...

深入理解MOSFET规格书及应用设计

MOS的导通电阻随温度上升而上升，下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候，为20度时候的2...

MOSFET规格书/datasheet该如何理解

第一大电子技术学习平台

MOSFET及IGBT在电力电子应用设计

多数情况下，功率变换器的传导干扰以共模干扰为主。本文介绍了一种基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术，并...

利用900V MOSFET管提升反激式转换器的输...

意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管，提升反激式转换器的输出功率和能效

900VMDmesh™ K5超结MOSFET管满...

新品登场

多个MOS管同时导通可行吗？

大神们，救命啊！开关电源型给电容充电，为什么我一上电MOSFET就烧了？

MOSFET知识点全集，初级工程师学习利器

MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为...

快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供10...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA）...

功率半导体封测厂主攻MOSFET，有望新突破

捷敏2017年第2季获利已经创下历史次高，上半年EPS为2.39元，7月营收也下营收新高水准，市场看...

Mosfet驱动电路开发进阶之路

常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等。

内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

第3季进入传统电子产品销售旺季，但今年受到DRAM、NAND／NOR Flash缺货冲击，加上金氧半...

场效应管（MOSFET）检测方法与经验

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

Allegro MicroSystems, LL...

美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N沟道功...

基于MOSFET控制的大范围连续可调(0～45V...

功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度...