电子发烧友网站提供《40V 7 通道低侧驱动器TPL7407L数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:27:410 台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示,任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
2024-03-12 17:18:21204 荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器,该系列驱动器基于电容隔离技术,集成了多种保护功能,专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出,标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力,也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想问一下,半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备,比如探针台有没有用到,具体要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 KF8451A高效率同步降压IC产品描述KF8451A一款输入耐压可达40V,4.5-40V输入电压条件正常工作,并且能够实现精确恒流以及恒压控制的同步降压型DC-DC转换器。无需外部补偿,可以依靠
2024-02-19 16:51:330 ZC3201是一款40V高精度微安级功率LDO稳压器。只有luA的功耗使其适用于大多数高压节电系
统。其最大工作电压高达40V.
其他功能包括低压差,±1%的极高输出精度,限流保护和高纹波抑制比
2024-02-19 16:12:50
引言:EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场!EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件,它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料,它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02:18319 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而实现了高效的能源转换和低能耗操作,不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性,在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片,产能充裕,供应稳定,性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 今日(1月18日),意法半导体在官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 V 功率 MOSFET 的半导体制造商,采用全新系统和应用优化的OptiMOS 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准,我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能,赋能未来。
2023-12-29 12:30:49362 近日,澎芯半导体在产品开拓方面取得了多项进展
2023-12-28 13:40:31395 概述PC5028是一款高性能的增压器驱动N沟道MOSFET的控制器同步升压功率级,从宽输入电源范围从4.5V到40V。当控制器从输出电压偏置控制器可以从低至启动后1V。开关频率可以通过编程FREQ
2023-12-25 18:23:47
据悉,润鹏半导体是华润微电子与深圳市合力推出的精于半导体特色工艺的12英寸晶圆制造项目。主要研发方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工艺
2023-12-20 14:13:25214 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41260 根据不同的诱因,常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体,机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世半导体将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世半导体将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方网站称,2015年6月成立的钜芯科技是从事半导体输出芯片和零部件研发,生产,销售的高新技术企业。产品包括半导体分立元件芯片、半导体分立元件、半导体功率模块及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 来源:ACT半导体芯科技 2023年已接近尾声,半导体行业依然在挑战中前行。随着市场需求和应用领域的变化,半导体企业需要不断推出新产品和解决方案,以满足市场的需求。 半导体产业作为现代信息技术
2023-11-20 18:32:52262 转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至40V)可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用运放实现1~-40V的脉冲电源,1到-40V的时间为2us,计算SR至少要求63V/us,看了下几款车规级高压运放,请问下使用LT1010可以实现吗?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
谢谢!
2023-11-13 14:20:54
电子发烧友网站提供《CW9403R无线充电接收端控制芯片规格书.pdf》资料免费下载
2023-10-31 15:15:200 电子发烧友网站提供《CW9403T无线充电发射端控制芯片规格书.pdf》资料免费下载
2023-10-31 15:14:030 AON6884,规格书, 设计方案,使用方法,AOS/万代,40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS(ON)。这是一个适用于大范围
2023-10-24 15:03:33
MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中,栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LT8338: 40V, 1.2A Micropower Synchronous Boost Converter with PassThru Data Sheet
2023-10-17 19:07:46
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC转换器数据表相关产品参数、数据手册,更有LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC
2023-10-10 18:54:16
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或双半脊半脊数据表相关产品参数、数据手册,更有LT8204:40V 全脊或双半脊半脊数据表的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2023-10-08 16:47:10
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
DMP4047SSDQ 产品简介DIODES 的 DMP4047SSDQ 这款新一代 40V P 沟道增强模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 产品简介DIODES 的 DMP4047SSD 这款新一代 40V P 沟道增强模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能
2023-09-15 09:54:20
DMP4047LFDE 产品简介DIODES 的 DMP4047LFDE 这款新一代 40V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同时保持卓越的开关性能
2023-09-14 19:46:59
▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程,现我们敬邀您莅临现场,直击智能热点,共享前沿资讯,通过意法半导体核心技术,推动加快可持续发展计划,实现突破性创新~报名链接:https
2023-09-11 15:43:36
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 稳定性和效率兼备,雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 和管理者。今年,Nexperia(安世半导体)的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体! 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 ,减少人力资源消耗,为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能,多方面满足客户测量需求,解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 先楫半导体使用上怎么样?
2023-08-08 14:56:29
金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的革命,让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 功率半导体包括功率半导体分立器件(含模块)以及功率 IC 等。其中,功率半导体分立器件,按照器件结构划分,可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 这种40V双电源电路是应菲律宾Michael的要求而设计的。他的应用是为此处发布的150瓦放大器电路供电。我认为这种电源设计足以达到目的。变压器T1降低电源电压,电桥D1执行整流,C1和C2执行滤波工作。C3和C4是去耦电容。
2023-07-18 17:41:321035 RJF0411JPD 数据表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 20:07:270 RJF0409JSP 数据表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:48:120 RJF0408JPD 数据表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:47:590 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列,进一步提升比导通电阻,减小RDSON*A,即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON,或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢?
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
优恩半导体40D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值,为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。极限 峰值浪涌电流额定值可达30ka (8/20 μs脉冲),以防止包括间接雷击干扰
2023-06-14 10:39:23
电机控制领域。CMS32M65xx系列MCU是中微半导体推出的基于ARM-Cortex M0+内核的高端电机控制专用芯片。主频高达64MHz;工作电压1.8V至5.5V;提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力,适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663 兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体),分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 【 2023 年 5 月 12 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 根据中国集成电路产业人才白皮书数据来看,目前行业内从业人员仅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在国内半导体行业快速发展的当下,定位、抢夺优质人才是企业未来长期发展的基石。
那么每年秋招就是赢得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等类型;从技术发展趋势看,采用制程复杂芯片工艺以及采用氮化镓等新型材料和与之相匹配的封装工艺制造具有优异性能参数产品是场效应管生产厂商不断追踪的热点。
广东友台半导体有限公司(简称
2023-05-26 14:24:29
2023 年 5 月 24 日,中国 —— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM
2023-05-26 14:11:20701 中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 新微半导体40V氮化镓功率器件工艺平台拥有较大的工艺窗口,并具有良好的一致性和稳定性的工艺保障。其采用的无金工艺,RC<0.4 Ω·mm;栅极采用自对准工艺,使得栅极形貌良好,且最小线宽低至0.5µm。
2023-05-24 16:24:051698 RJF0411JPD 数据表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480 RJF0409JSP 数据表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400 RJF0408JPD 数据表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280 试述为什么金属的电阻温度系数是正的而半导体的是负的?
2023-04-23 11:27:04
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策,半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前,我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场,根据中国半导体行业协会
2023-04-14 16:00:28
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策,半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前,我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场,根据中国半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述: PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50513 创新、自主可控,推出HPM6000高性能RISC-V MCU产品系列,助力推动国产创新型替代进程。国潮崛起,先楫半导体邀您一起共同迈向高性能 “芯” 时代。
2023-04-10 18:39:28
5057-9403
2023-03-29 21:49:46
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
2023-03-28 22:35:09
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
2023-03-28 22:35:06
MOSFET N-CH 40V 110A
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-27 14:31:11
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