美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200V肖特基二极管

　　致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。

　　与硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有多项优势，包括较高的击穿场强度和更好的导热性，这些特性可让设计人员创建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢复、不受温度影响特性、较高的电压能力，以及较高的工作温度，从而达到新的性能、效率和可靠性水平。

　　除了SiC二极管器件固有的优势之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸贴片，背部可焊接的D3封装SiC肖特基二极管的制造商，允许设计人员达到更高的功率密度和较低的制造成本。

　　美高森美公司功率产品部总经理Russell Crecraft表示：“我们利用超过25年的功率半导体器件设计和制造专有技术，推出具有无与伦比的性能、可靠性和总体质量水平的SiC二极管系列。下一代功率转换系统需要更高的功率密度、更高的工作频率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能够帮助系统设计人员满足这些需求。”

　　全新1200V SiC肖特基二极管产品阵容包括：

　　●APT10SCD120BCT (1200V、10A、共阴极TO-247封装)

　　●APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封装)

　　●APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封装)

　　●APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封装)

　　●APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封装)

　　美高森美新型SiC肖特基二极管现已量产。