嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想开发一个 CAN 连接到赛普拉斯CYW20730芯片的Android应用程序。
实际上，一些主动快门 3D 眼镜使用了这个芯片，我想建立蓝牙连接来打开和关闭眼镜镜片。
我下载了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
; eviceCount () \" 给了我 0。
当我查看 Windows 设备管理器时。 在编程之前，该设备被识别为“赛普拉斯FX3 USB引导加载程序设备”。 编程后，该设备被识别为“赛普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
我只是想知道是否有可能访问我正在编写的代码中的构建变量。 到目前为止我还没找到出路。
起初，这些变量仅用于自动创建我想要的格式的图像文件。 现在，我想通过发送给赛普拉斯的控制权转移来访问它们。
如果这不可能，你知道其他方法可以做到这一点并满足我的两个需求吗？
2024-02-26 06:36:36
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，简称“拉普拉斯”，近期成功通过IPO审核，准备在科创板上市。该公司计划募资18亿元，主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目，以及补充流动资金。
2024-02-23 14:16:32
218 目前，我的开发板使用赛普拉斯3014芯片并使用UVC输出。 但是，程序运行后，可以在 Windows 系统上识别设备，但在 Linux 系统上无法识别。 我使用 Ubuntu 作为我的 Linux 系统。 可能是什么问题？ 我需要修改 cyfxdscr 吗。 c 文件？有人能提供一些建议吗？
2024-02-23 06:11:56
通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度，而辅助存储器则提供了大量的存储空间。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-02-19 10:52:40191 
傅里叶变换和拉普拉斯变换是两种重要的数学工具，常用于信号分析和系统理论领域。虽然它们在数学定义和应用上有所差异，但它们之间存在紧密的联系和相互依存的关系。 首先，我们先介绍一下傅里叶变换和拉普拉斯
2024-02-18 15:45:38339 赛普拉斯的芯片，怎么烧录后缀名为 .ELF 文件？要用什么烧录器？用什么样的烧录软件？芯片型号：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39358 我想使用 DAP 协议对 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 进行编程。
是否有任何记录了 DAP 协议详细信息的相关文档？ 如何通过 DAP 协议访问内部存储器？
提前谢谢了！
2024-01-23 07:51:15
我正在尝试在 CY8CKIT-046 上运行赛普拉斯/英飞凌的 \" USBFS UART 代码示例 \"。 将 USB 连接到装有 Windows 10 的电脑后，我收到了一条
2024-01-22 08:27:13
随机访问存储器（RAM）分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。
2024-01-19 15:47:38513 
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15512 赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-01-09 10:54:28170 
随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式，CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息，而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。
2024-01-06 17:51:33158 
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17731 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
近期，深圳市科学技术奖励委员会办公室发布了关于2023年度深圳市科学技术奖拟奖名单的公示。其中，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”）依托“气态BCl₃特高温硼扩散系列设备关键技术
2023-11-10 10:37:24183 单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
赛普拉斯USB-PD控制器最多能支持多少种电力传输对象（PDO）？支持的电源配置文件有哪些？ 赛普拉斯USB-PD控制器是一种用于电源传输的器件，它可以实现多种电力传输对象（PDO）的支持。在本篇
2023-10-27 14:40:20337 赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之间有何不同？ 赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是两种快速充电技术，它们有着不同的特点和优点。 赛普拉斯USB-PD2.0是一种基于USB
2023-10-27 14:40:18434 描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34816 近年来，光伏行业蓬勃发展，为业内企业发展提供了良好的动力。以拉普拉斯为例，在稳定的业绩基础上，叠加行业明朗的发展前景，拉普拉斯提交IPO招股书，拟申请上交所科创板上市，踏出了跨越性的一步
2023-10-19 11:34:04241 近期，光伏电池片制造设备供应商——拉普拉斯积极闯关科创板IPO，计划募资18亿元用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目和补充流动资金。 从拉普拉斯IPO招股书披露
2023-10-19 11:20:23296 CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 17:10:012041 
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 01:12:002959 
太阳能光伏设备制造行业作为技术密集型行业，一直以来对技术的先进性依赖程度比较高。深耕行业多年，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”或“公司”）始终以技术引领，驱动企业前行，成功获得了
2023-10-10 17:04:00233 怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
电子发烧友网站提供《8位PIC单片机上的存储器访问分区.pdf》资料免费下载
2023-09-25 14:50:20
0 FSMC特性简介和FSMC框图外挂存储器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信号
支持的存储器和访问方式异步传输
同步突发传输
NAND/PC card控制器
接口信号
·支持的存储器和访问方式NAND操作
.ECC计算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272101 如何用拉普拉斯变换分析电路 拉普拉斯变换是通过一种特定的方法将时域中的一个信号转化为复频域中的一个函数，从而使得复杂的微分方程等可以变得更加简单、易于求解。因此，它在电路分析中的应用非常广泛，有助于
2023-09-07 16:39:041276 傅里叶变换拉普拉斯变换和z变换的区别联系 傅里叶变换、拉普拉斯变换和z变换是信号处理中重要的数学工具。傅里叶变换用于将一个连续时间信号转换为频域表示；拉普拉斯变换则用于将一个连续时间信号转换为复平面
2023-09-07 16:38:581400 拉普拉斯变换公式 拉普拉斯变换公式是数学中极其重要的一种变换方式，它的应用领域非常广泛，包括在信号处理、控制论、微分方程、电路分析和量子力学等领域中都有着广泛的应用。本文将详细介绍拉普拉斯变换公式
2023-09-07 16:38:534091 拉普拉斯变换的意义 拉普拉斯变换是微积分中的一种重要方法，用于将时间域函数转换为复平面的频域函数。它是工程和科学中常用的一种数学工具，尤其是电路理论、信号处理和控制理论中。 拉普拉斯变换的意义可以
2023-09-07 16:35:083588 拉普拉斯变换的频移特性 拉普拉斯变换是一种重要的数学工具，在信号处理、控制理论、电路分析等领域广泛应用。在这些应用中，频移是一个常见的操作，即将信号在频域上移动某个频率。 拉普拉斯变换是一种复数变换
2023-09-07 16:29:43671 新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
AMBA静态存储器接口(SMI)是一个示例设计，它显示了AMBA系统中外部总线接口(EBI)的基本要求。
它并不打算成为真正系统的“现成”EBI。
这样的EBI设计必须考虑到流程、包装和各种外部延迟
2023-08-21 06:22:01
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
本指南介绍事务性内存，它允许自动执行代码，而无需始终实现限制性能的同步方法。
ARM事务内存扩展(TME)是事务内存的ARM实现。
现代复杂系统在不止一个处理器上执行。
对存储器访问的管理确保了当
2023-08-17 07:57:59
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的静态存储器控制器（SMC）。AHB MC有一个
2023-08-02 07:14:25
动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 06:26:35
就需要一块非易失性存储芯片来储存这些数据。非易失性存储器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它们在系统掉电的情况下仍可保留所存数据，但因其技术都源于R
2023-07-25 10:31:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
可编程控制器的存储器由只读存储器ROM、随机存储器RAM和可电擦写的存储器EEPROM三大部分构成，主要用于存放系统程序、用户程序及工作数据。
2023-07-11 14:26:421719 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 存储器是用来进行数据存储的（指令也是一种数据），按使用类型可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机访问存储器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最为常见的一种形式。
2023-06-27 16:45:30458 
静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
该控制器访问连接到外部存储器总线的SDRAM器件。程序和数据存储器共用地址空间；使用单独的总线分别访问这两个存储器，从而提高性能并允许在同一个周期访问程序和数据。存储器映射中包含片上RAM、外设
2023-06-21 12:15:03421 
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
16-MBIT（1M X 16）静态随机存储器
2023-06-01 09:18:00
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55313 我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
不懂单片机，最近公司一个外单要转到国内生产，发了一个后缀名是.elf的烧录文件，请问这个怎么烧录？要用什么软件打开？又要用什么样的烧录器？
芯片是赛普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
。关于DMA存储器到外设传输方式，程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH中，然后通过DMA的方式传输到串口的数据寄存器，然后通过串口把这些数据发送到电脑的上位机显示出来。
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462541 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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